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第二十五讲Si表面和金属－氧化物－半导体结构（续）“长的”金属－氧化
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
Si
第二十五讲 表面和金属－氧化物－半导体结构 （续
“长的”金属－氧化物－半导体场效应晶体管
11 1 2002
月 ，
内容：
1. 三端MOS结构
2. 介绍MOSFET
3. 反型层传输
阅读作业
del Alamo Ch. 8，§8. -8.6; Ch. 9, §9.1
通知：
2 11 Rm. 50 340 Walker 7 30 9 30PM 13 24 6 8 MOS
测验 ： 月 ， － （ ）， ： － ： ；第 － 内容（或 － 章包括三端 结构）。开卷。带计算器。
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
主要问题
如果连接反型层并加一个偏置电压，MOS结构的静电态会发生什么变化？
一个MOSFET像什么，它是如何工作的？
通过反型层的横向传输是如何发生的？
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
1. 三端MOS结构
引入对反型层的连接：
V
相对于衬底现在能对反型层加一个偏压， SB 。
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
n+ − p V 0
源－体结： 结→只希望反向偏置， SB
V V 0
只对反型区感兴趣：在保持 GB 不变的情况下施加 SB 。
能带图：
V 0 φ Q
采用 SB ，增加 s ，同时 d 也增加。
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
G B
从 到 的总电势是固定的：
但是：
因此： Qd
小节：
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