锂电保护芯片CT2101.PDFVIP

锂电保护芯片 CT2101 一. 产品概况 CT2101 是一种复合式高精度单节锂离子/锂聚合物电池保护 IC。其在传统电池保护电路基础上将开关 MOSFET 聚成到 IC 内部；它具有过充电压及电流的保护，过放电压及电流的保护，过热保护，短路保护， 充电器检测、电芯反接保护和充电器反接保护等功能，并且工作时功耗非常低。 正常状态下，CT2101 通过检测 VDD 和VM 两端电压或者电流来打开或者关闭内部 MOSFET，实现监控电 池的工作状态的目的。如果 VDD 和 VM 电压电流值在设定值内内部 MOSFET 导通，电池正常工作。 当 VDD 端（VM 端）的电压（电流）高于或者低于设定值，内部电路将根据状态持续的时间判断电池是否处在非正 常工作状态，当这种状态维持时间超出电路设定时间，CT2101 将关闭内部 MOSFET，切断充放电回路，只有 在满足一定条件下，电路才重新回复到正常工作状态。 CT2101 外部应用电路极其简单，只需要外接一个电容，该芯片不仅为手机电池设计，也适用于一切需 要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。 二．功能特点 1. 内置非常低阻抗（等效 29mΩ RDS(ON)）的 MOSFET,降低成本 2. 高精度电压检测 过充电压检测：±30mV 过放电压检测：±50mV 3. 三重过电流检测保护: 过放电流1, 过放电流2和负载短路检测电流 4. 内置延迟电路，延迟时间(过充电压检测延迟时间: t ； 过放电压检测延迟时间: t ； 过放电流 1 CU DL 检测延迟时间: tODC1 ； 过放电流2检测延迟时间 : tODC2 ； 短路检测电流检测延迟时间 : tSHORT)由内置 电路产生，无需外接电容。 5. 低电流损耗 工作模式：典型值 2.0µA，最大值 4.0µA 休眠模式：最大值 0.1µA 6. 电芯反接保护和充电器反接保护，更安全 7. 0V充电功能 8. 外围仅需连接1颗电容，应用极为简单 Rev 1.2 2009-12-19 - 1 - 9. 过温度保护功能 10.充电器检测功能 11.短路保护功能 12. SOT23-6 封装形式，符合欧洲 ROHS标准的无铅产品 三. 产品系列 四．PAD 脚位 Rev 1.2 2009-12-19 - 2 - 序号 名称 功能 1 VM 充电器正端输入，过电流检测端 2 GND 接地端 3 TEN 测试端, 悬空或者接 GND 4 VCC 内部电路供电端 5 GND 接地端 6 VDD 正电源输入端 五. 功能描述和参考应用电路图 U1 P+ 6 1 VDD VM 5 2 GND GND BATTERY 4 3 DC