恒压应力下超薄栅nmosfet软击穿后的衬底电流特性3 - journal of .pdfVIP

第 26 卷 　第 5 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 5 2005 年 5 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　May ,2005 恒压应力下超薄栅 nMOSFET 软击穿后的 衬底电流特性 王彦刚　许铭真 　谭长华 　段小蓉 (北京大学微电子学研究所 , 北京 　10087 1) 摘要 : 研究了在恒压应力下超薄栅 nMO SF E T 软击穿后的衬底电流特性. 软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特 性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定. 发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温度的 升高而增大. 用类渗流模型模拟了软击穿后衬底电流与栅电压的关系. 利用变频光泵效应讨论了超薄栅 MO SF E T 低电压应力下衬底电流的来源 ,并解释了软击穿后衬底电流和栅电流之间的线性关系. 关键词 : 衬底电流 ; 软击穿 ; 超薄栅氧化层 ; 威布尔分布 ; 变频光泵效应 EEACC : 2520 E ; 2810D 中图分类号 : TN 386 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 本文通过超薄栅氧化层 nMO SF E T 的恒压应 ( ) 1 　引言 力实验 ,对栅氧化层软击穿时间 tBD 和击穿时的衬 ( Δ ) 底电流变化量 I sub ( SBD) 进行了统计分析 , 并对软 20 世纪 90 年代 , 日本 的 Okada 等人定义 了 击穿后的 I sub ( SBD) Vg 曲线进行了理论分析 ,另外还 ( ) 讨论了超薄栅 MO SF E T 低电压应力下衬底电流的 6nm 以下 MO SF E T 栅氧化层 的软击穿 SBD 事 件[ 1 ] . 之后 ,软击穿成为栅氧化层可靠性研究的焦 起源和软击穿后衬底电流与栅电流的关系. 点 ,其中软击穿时器件参数的统计分析及软击穿后 2 　实验 器件常规特性的变化是该领域较为活跃的研究课 题[2～6 ] . 研究者普遍认为软击穿是局部的氧化层失 实验样品是由标准 CMO S 工艺制造的 nMO S F E T ,栅氧化层厚度为 2nm , 面积为 189 ×10 - 6 ( ) 效 ,在恒压应力下表现为栅氧化层漏电流 Ig 的突 2 ( cm . 实验时 , 样 品栅极加恒定 电压 CV S ∶Vg = 变. 近来有人发现