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半导体器件的发展 半导体器件的发展历程 1874年F.Braun半导体器件的第1项研究金属－半导体接触。 1907年H.J.Round发光二极管LED。 1930年量子力学的发展以及半导体材料制备技术的成熟；半导体的光电导、光生伏特效应、整流效应。 1939年Schottky 肖特基势垒。 1947年Shockley ，Bardeen, Brattain晶体管（transistor)；1956年获诺贝尔奖。 1949年Shockley p-n结双极晶体管（BJT） 晶体管的基础准备 1924年衍射实验证实电子的波动性概念 1928年提出电子的费米—狄拉克统计理论 1931年，威尔逊（A.H.Wilson）提出了固态半导体的量子力学理论，与固体X射线实验相结合，奠定了今天固体能带论的基础 霍尔效应用于半导体材料研究，半导体与金属区别开来，并发现了半导体中有两种载流子 肖特基（Schottky）和莫特（Mott）于1939年第一次提出了空间电荷区理论 B.Davidor提出了不同半导体之间也可以有整流效应，并提到了半导体中的一个关键概念——少数载流子的重要性。 获得了完整性比较好、纯度比较高的锗、硅材料，排除了诸如硒、氧化亚铜等材料中的一些复杂因素 晶体管的发明 1947年12月16日诞生了具有放大和功率增益性能的点接触晶体管。点接触晶体管并不稳定，由于是三维问