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半导体器件物理 主 要 内 容 第一章 半导体物理基础 晶体结构，能带论，晶格振动，半导体统计，非平衡载流子输运, 器件工作基本方程 第二章 半导体接触 P-N结 异质结 金属-半导体接触 半导体绝缘体 M I S 主 要 内 容 第三章 典型半导体器件 3.1 双极结型晶体管 基本工作原理，输出特性，等效电路，异质结双极晶体管(HBT) 3.2 场效应晶体管 结型场效应晶体管, MOSFET的基本工作原理和电荷控制模型,C-MOS器件的基本工作原理,异质结场效应晶体管,非晶薄膜晶体管 3.3 光电子器件 LED和半导体激光器,光探测器,太阳能电池,集成光电子学 3.4 专用微波器件 隧道二级管,IMPATT器件,体效应器件 第四章 新型半导体器件 超晶格器件，共振隧道器件，其他新型半导体 周期表中与半导体有关的部分 K空间等能面----标志晶体中载流子的E(k)关系 简单立方晶体的等能面是以k0为中心的球面。mx* = my* = mz* 锗、硅-----旋转椭球。横向有效质量：mt* ；纵向有效质量：ml* 结合具体问题的有效质量：态密度和电导有效质量。 电子的电导有效质量： 电子的态密度有效质量： §1.4 热平衡时的载流子浓度 本征硅 n型(磷，施主)掺杂 p型(硼，受主)掺杂 Si的三种基本键图形 1.4.1 本征半导体 导带内被占据的能