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PET上沉积Al掺杂ZnO薄膜的光电特性研究.pdf
第36卷 第6期 人 工 晶 体 学 报 V0lJ 36 No
． 6
2007年l2月 J0URNAL 0F SYNTHETIC CRYSTALS December，2007
PET上沉积Al掺杂ZnO薄膜的光电特性研究
杨贵源，周雄图，马学呜，石旺舟
(华东师范大学物理系，光谱学与波谱学教育部重点实验室，上海200062)
摘要：采用脉冲激光沉积技术(PLD)，室温下在柔性衬底PET上制备了高度C轴择优取向的Al掺杂ZnO薄膜。
XRD分析表明，不同Al掺杂浓度的样品均呈现单一的ZnO相。荧光光谱和透射光谱分析显示，低温低氧压下制备
的Al掺杂ZnO薄膜在紫光区域有很强的荧光发射，在可见光区域具有较高的透射率；并且可以通过Al掺杂浓度
调节薄膜紫色发光强度和薄膜带隙。薄膜的电阻率随着Al掺杂浓度的增加先降低后增加，在掺杂浓度为3％原子
分数时达到最小值。
关键词：A1掺杂ZnO薄膜；透明导电薄膜；脉冲激光沉积；荧光特性
中图分类号：o484 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2007)06．1274435
Optical and Electrical Properties0f AI Doped ZnO Thin Films
Prepared on Flexible PET at Room Temperature
YANG Gui—yuan，ZHOU Xiong—tu，MA Xue—ming，SHI Wang—zhou
(Key Lal~ratory of Optical and Magnetic Resonance Spectroscopy，Ministry of Education，Department
of Physics，East China Normal University，Shanghai 200062，China)
—
(Received 10 August 2007)
Abstract：Highly preferred c—axis oriented A1 doped ZnO thin films were prepared successfully on PET at
room temperature by pulse laser deposition(PLD)．XRD results show that only ZnO phase is observed in
the samples．It is found from the photoluminescence results that the films deposited at low temperature
and low oxygen pressure exhibit strong violet luminescence． Meanwhile the intensity of violet
，
luminesc
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