嘉兴斯达半导体有限公司GD35HFK120C1S - 嘉兴斯达半导体股份.PDF

GD35HFK120C1S IGBT 模块 嘉兴斯达半导体有限公司 STARPOWERTM IGBT GD35HFK120C1S 1200V/35A 半桥封装 基本描述 嘉兴斯达半导体 IGBT 模块提供极低的导通 损耗及开关损耗，同时具有优异的短路坚固 性。这一系列的模块是针对开关电源和 UPS 应用而设计的。 特征： 10μs 短路维持能力 VCE(sat) 具有正温度系数 方形 RBSOA 低寄生电感封装 快恢复二极管具有快速和软的回复特性 采用 DBC 技术，与散热器电气隔离 模块内部电路图 典型应用 开关电源 UPS 逆变焊机 最大额定值 T =25 ℃ 除非另作说明 C 符号 说明 数值 单位 VCES 集电极-发射极电压 1200 V ©2009 STARPOWER Semiconductor Ltd. 9/10/2009 1/7 Rev.B GD35HFK120C1S IGBT 模块 符号 说明 数值 单位 VGES 栅极-发射极电压 ±20V V 集电极直流电流 @ TC=25 ℃ 50 IC A @ TC=80 ℃ 35 I 集电极脉冲电流 @ T =80 ℃ 70 A CM(1) C IF 续流二极管正向直流电流 35 A IFM 续流二极管正向脉冲电流 70 A P 每单元 IGBT 最大耗散功率 @ T =150 ℃ 313 W D j T 短路保护时间 @ T =125 ℃ 10 μs SC j Tj 运行温度范围 -40 to +150 ℃ TSTG 贮藏温度范围 -40 to +125 ℃ 2