如何彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet.docx

如何彻底读懂并理解MOSFET的手册附录A从手册中估计MOSFET 的参数（等效电容，栅极电荷，栅极门限电压，米勒平台电压，近似内部栅极电阻，最大Dv/Dt）在这个例子上，我们将计算IRFP450 MOSFET的等效电容Cgs、Cgd、Cds、全部栅极电荷，栅极门限电压，米勒平台电压，近似内部栅极电阻，和最大Dv/Dt。栅极对地参考栅极驱动器件的典型图如下。必要的计算需要以下信息Vds,off=380V 额定Vds关闭状态下的电压Id=5A 满载时的最大漏极电流Tj=100 ℃ 工作结温Vdrv=13V 栅极上的电压幅度Rgate=5R 外部栅极电阻Rol=Rhi=5R 栅极驱动电路的输出电阻A1.电容IRFP450的datesheet里给出的电容值把这些数值作为起点，实际应用中我们可以估算的平均电容值为：物理电容值可以从基本的关系式中获得：注意 Cgs是从手册的原始数值里得到的，在这个方程中，用同等测试条件下测得的电容值是很重要的。同时记住Cgs是一个常量和电压无关。另一方面，Cgd、Cds具有很强的非线性且和电压有关。他们的最大值分别在Vgd和Vgs接近于0或等于0处，且分别随着Vgd和Vgs的上升迅速下降。A2.栅极电荷最坏情况下的栅极电荷值（在特别的情况下），由IRFP450的Datesheet给出不同的栅极电压幅度，能由下面的典型Total Gage Charge曲线修正。由下面图中13V的gate-to-source 电压开始，找到对应的drain-to-source的电压曲线，然后从横轴读出Total Gage Charge的数值。如果需要更粗确的值，不同的栅极电荷成员要分别决定。只有在米勒平台级别修正过后，我们才能估计Gate-to-source charge的值从下面的图中。Miller电荷能由A1中的Crss,ave的值获得。最后，over drive 电荷成员（从米勒平台到最终的电压）能由下面的图中估计出。A3. 栅极门限电压和米勒平台电压A2中我们已经展示了，稍后将会演示，许多MOSFET的开关特性被实际的栅极门限电压和米勒平台电压影响。为了计算米勒平台电压，栅极的门限电压（Vgs(th)）和跨导（Gfs）由手册t罗列出来。不幸的是，门限电压不是非常好定义，Gfs是小信号量。更粗确的方法去获得门限电压和米勒平台电压是运用手册中Typical Transfer Characteristics曲线。由相同的温度曲线，选中两个易读的点，指出相应的漏极电流和Vgs电压。先选择交点横线对应的漏极电流，再选对应的Vgs,因为X轴是线性的，Y轴是指数的，线性的比指数的精度更高。比如，运用150 ℃ 这条曲线Id1=3AVgs1=4.13V Id2=20AVgs2=5.76V门限电压和米勒平台电压可以计算如下：这些数值对应的是150℃的结温曲线，因为我们用的是Typical Transfer Characteristics图里的150℃的曲线。因为门限电压的实质温度系数，结果要100℃时结温修正，门限电压和米勒平台电压要被调整的值为：A4. 栅级内部电阻另外能人感兴趣的参数是栅格电阻（Rg,i）,但在手册中没有被定义。此电阻是一个等效电阻，和连接MOSFET 晶体管单元的分布式电阻等效。因此，栅级信号在器件中的分布看起来和表现都和传输线非常相似。这导致器件里独特的MOSFET单元的开关时间由单元到绑定盘的距离决定。最可靠的方法去断定Rg,i是通过电桥。此方法和实验室里测电容的ESR方法一样。用此方法，源极和漏极要短接，阻抗分析器要设到Rs-Cs如果可以设到Rs-Cs-Ls等效电路，从而得到栅极的电阻Rg,i，输入电容Ciss，寄生电感等。如此例子，用HP4194阻抗分析器测得IRFP450的Rg,i=1.6R ,等效电感=12.9nH,输入电容=5.85nFA5. Dv/Dt 界线MOSFET的晶体管在Vds电压迅速上升的时候是敏感的，这个变化dv/dt变化会诱发导通.本质上，导通是由电流流过Cgd,在gate-to-source上产生了电压。当这个电压幅度超过门限电压，MOSFET开始导通.这里有三种不同的情况进行考虑。首先，观察图中的电容分压器，Vgs计算如下：如果VgsVth MOSFET保持关闭，Vds的最大安全电压能被计算如下：这种技巧提供了全面的保护应对dv/dt诱发导通。在低压的应用中，完全和栅级的电压和外部驱动阻抗无关。对于更高电压的应用中，断定MOSFET固有的dv/dt的界限它也是需要的。这个特点对于最大dv/dt，器件能在理想的情况下抵抗导通，即外部驱动的阻抗为0，栅极和源极短接。导通是由对Cgd的充电电流，流过Rg,i产生的压降引发的，因此固有的dv/dt计算如下：（Vt