晶圆键合和激光剥离工艺对GaN基垂直结构发光二极管芯片 - 物理学报.PDF

晶圆键合和激光剥离工艺对GaN基垂直结构发光二极管芯片残余应力的影响 王宏 云峰 刘硕 黄亚平 王越 张维涵 魏政鸿 丁文 李虞锋 张烨 郭茂峰 Effect of wafer bonding and laser liftoff process on residual stress of GaN-based vertical light emitting diodechips Wang Hong Yun Feng Liu Shuo Huang Ya-Ping Wang Yue Zhang Wei-Han Wei Zheng-Hong DingWen Li Yu-Feng ZhangYe GuoMao-Feng 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,028501(2015) DOI: 10.7498/aps.64.028501 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.028501 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I2 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyou maybeinterestedin 基于反应动力学的GaNLED参数退化模型的研究 TheinvestigationofLEDdegradationmodelbasedonthe chemical kinetics 物理学报.2013,62(21): 218503 /10.7498/aps.62.218503 白光发光二级管用红色荧光粉LiSrBO : Eu 的制备与发光性能研究 PreparationandphotoluminescenceofLiSrBO :Eu red-emittingphosphorsforwhiteleds 物理学报.2013,62(10): 108504 /10.7498/aps.62.108504 基于缺陷光子晶体结构的GaN基发光二极管光提取效率的有关研究 Study on the light extraction efficiency of GaN-based light emitting diode by using the defects of the photoniccrystals 物理学报.2012,61(20): 208502 /10.7498/aps.61.208502 渐变型量子阱垒层厚度对GaN基双波长发光二极管发光特性调控的研究 The investigation of performance improvement of GaN-based dual-wavelength light-emitting diodes with variousthicknessofquantumbarriers 物理学报.2012,61(17): 178504 /10.7498/aps.61.178504 硅衬底InGaN/GaN基蓝光发光二极管droop效应的研究 EfficiencydroopinblueInGaN/GaNlightemittingdiodes on Si substrate 物理学报.2012,61(17): 178503 /10.7498/aps.61.178503 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 2 (2015) 028501 晶圆键合和激光剥离工艺对GaN基垂直结构发光 二极管芯片残余应力的影响 王宏 云峰 刘硕 黄亚平 王越 张维涵 魏政鸿 丁文 李虞锋 张烨 郭茂峰 1)(西安交通大学电子与信息工程学院, 电子物理与器件教育部重点实验室, 陕西省信息光子技术重点实验室, 西安 710049) 2)(西安交通大学电子与信息工程学院, 固态照明工程研究中心, 西安 710049)