硅酸镓镧单晶的生长、性质及电光应用的研究-物理学进展.PDF

第 27 卷 　第 3 期 物 　理 　学 　进 　展 Vol . 27 ,No . 3 　2007 年 9 月 PRO GR ESS IN P H YSICS Sep t . ,2007 文章编号 (2007) 0334417 硅酸镓镧单晶的生长 、性质及电光应用的研究 王继扬 ,尹 　鑫 ,张少军 ,张怀金 ,蒋民华 ( 山东大学晶体材料国家重点实验室 ,济南 250 100) ( ) 摘 　要 : 硅酸镓镧 L a3 Ga5 SiO14 ,langasit e ,简称 L GS 是一种多功能晶体 。L GS 和石英同属 32 点群 ,具有良好的压电和电光性质 ,本文在综述L GS 晶体基本性质的基础上 ,总结了我们对这种晶 体生长和性质的研究工作 ,测量了L GS 晶体电光性质 ,采取措施消除旋光性影响 ,首次用其设计制 作了电光 Q 开关 ,结果表明其效果与 D KDP 晶体电光 Q 开关相当;进而开发了高功率高重复频率 Q 开关 ,双端面泵浦模式 ,激光重复频率为 50 KHz 时 ,最高输出可以达到 12 . 5 瓦 ,脉宽为 46 n s 。 通过改进晶体生长条件 ,可获得直径约 50 mm ,长度为 100 mm ,重约 1000 g 的光学级 L GS 晶体 , 基本满足晶体电光 Q 开关应用的要求 。 关键词 : 硅酸镓镧晶体 ; 电光性质 ; 电光 Q 开关 ;光学级单晶生长 中图分类号 : O48 　　　文献标识 : A 0 　序言 ( ) 硅酸镓镧 L a3 Ga5 SiO14 , lan ga sit e , 简称 L GS 是一种 多功 能 晶体 。1982 年 , A . A . Kamin ski[ 1 ] 报道了N d :L GS 及其同系物晶体的光学 、激光 、弹性和压电等性质[ 1～3 ] ; 1984 年 , A . I. A n dree 报道了L GS 单晶弹性振动具有零温度系数切型[4 ] ,1986 年采用L GS 制作声体波 和声表面波滤波器 ,开辟了压电应用领域[ 5 ,6 ] 。L GS 晶体是优异的压电晶体材料 ,但组分中一 ( ) 半重量为 Ga O , 昂贵的成本使之难以与量大价廉的石英 水晶 晶体相抗衡 ,只有在少数需要 2 3 ( ) 优良性质而不计成本的领域 如航空、航天或军用 才采用 L GS 晶体制作的器件 。近年来 , 由 ( ) 于移动通信的发展 ,L GS 制作的微小型中频声体波滤波器被用于宽带波分复用 WCDMA 体 系 ,而再次受到人们 的重视 。除 L GS 晶体外 , 人们对 L GS 晶体 同构体 L a3 Ga5 . 5 Ta0 . 5 O14 (L GT) [7 , 8 ] 、L a Ga N b O (L GN ) [9 ] 以及 Sr Ta Ga Si O ( ST GS) [ 10 , 11 ] 等晶体的生长和压