纳米MOSFET栅氧化层中吸引型陷阱的参数提取方法.PDF

中国科学: 物理学 力学 天文学 2010 年 第40 卷 第4 期: 395 ~ 399 SCIENTIA SINICA Phys, Mech Astron SCIENCE CHINA PRESS 论 文 纳米MOSFET栅氧化层中吸引型陷阱的 参数提取方法 * 张鹏, 庄奕琪, 马中发, 吴勇 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071 * E-mail: pengzhangzp@163.com 收稿日期: 2009-09-15; 接受日期: 2009-10-16 摘要 通过实验在室温下同时测量纳米MOSFET 器件样品漏源电流和栅电流的低频噪声, 发现一些样品器 件中漏源电流不存在明显的RTS 噪声, 而栅电流存在显著的RTS 噪声, 而且该栅电流RTS 噪声俘获时间随栅 压增大而增大, 发射时间随栅压增大而减小的特点, 复合陷阱为库伦吸引型陷阱的特点. 根据栅电流 RTS 噪 声的时常数随栅压及漏压的变化关系, 提取了吸引型氧化层陷阱的深度、在沟道中的横向位置和陷阱能级等 信息. 关键词 RTS 噪声, 参数提取, 吸引型陷阱 PACS: 73.55.-i, 72.70.+m, 73.20.At RTS 噪声不仅仅具有坏的影响, 即引起纳米 窄沟道的n 型纳米MOSFET 观察到了库伦吸引型陷 MOSFET 器件参数漂移和漏源电流产生波动, 同时 阱引起的较大相对幅度RTS 噪声以外. 也可以被用来提取引起它的陷阱的各种信息[1~4], 如 虽然吸引型陷阱引起的漏极电流( 电压)RTS 噪 深度、在沟道中的横向位置和能级等. 然而现有的基 声难以观察, 但所引起的栅电流 RTS 噪声幅度却很 于 RTS 噪声的陷阱参数提取方法都是针对库伦排斥 显著, 很容易测量[4,5] . 本文通过在常温下同时测量 型陷阱, 基于漏极电流( 电压)RTS 噪声的, 而且又基 漏源电流和栅电流低频噪声, 发现在一些样品器件 于RTS 噪声时常数比(τ /τ ) 随栅压( V )和漏压( V ) 中不存在漏源电流 RTS 噪声, 但同时却存在幅度较 c e GS DS 变化的变化关系的Shockly-Read-Hall (SRH)理论[1~3]. 大的栅电流 RTS 噪声( ΔIG / IG ). 我们结合这些 RTS 因为只有排斥型陷阱能够在器件处于亚阈区或者线 噪声时常数随栅压的变化关系, 判定这种 RTS 噪声 性区时, 引起足够大幅度的可测量的漏源电流 RTS 是由库伦吸引型氧化层陷阱引起的. 根据库伦吸引 噪声. 然而当陷阱为库伦吸引型时, 其俘获(发射)过 型陷阱俘获(发射)过程的费米黄金定则, 以及纳米 程能够引起的漏极电流( 电压)RTS 噪声的幅度非常小, MOSFET 器件沟道能带结构, 推导出了 RTS 噪声时 在常温下通常淹没在背景噪声中, 通常只有在极低 常数与栅压和漏压的关系, 并结合栅电流噪声时间 [5,6] [7] 温度下才能观察到 , 除了南京大学Shi 等人 在很 常数随栅压和漏压变化的实验数据, 提取了该吸引 引用格式: 张鹏, 庄奕琪, 马中发, 等. 纳米MOSFET 栅氧化层中吸引型陷阱的参数提取方法. 中国科学: 物理学 力学 天文学, 2010, 40: 395 ~ 399 张鹏等: 纳米MOSFET 栅氧化层中吸引型陷阱的参数提取方法 型陷阱的能级E 、深度x