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干法刻蚀 溅射与离子束铣蚀：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差。 等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差。 反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，简称为RIE)：通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时兼有各向异性和选择性好的优点。 溶剂去胶：含氯的烃化物做去胶剂。 氧化去胶：强氧化剂，如浓硫酸，双氧水和氨水混合液 等离子体去胶 剥离工艺 去胶 剥离工艺（Lift-Off） 在光刻工艺中，有一种代替刻蚀方法的工艺，我们称之为剥离工艺（Lift-Off）。 在剥离工艺中，首先形成光刻图形，然后沉积薄膜，最后用化学试剂去除光刻胶，此时连同不需要的薄膜一同除去，这个过程正好与刻蚀过程相反。 光刻工艺的发展 电子束光刻 离子束光刻 X射线光刻 微立体光刻成型技术 电子束光刻 电子束光刻与传统意义的光刻(区域曝光)不同，是用束线刻蚀进行图形的加工。在电子束光刻机中，电子束被电磁场聚集成微细束照到电子抗蚀剂(感光胶)上，由于电子束可以方便地由电磁场进行偏转扫描，复杂的图形可以直接写到感光胶上而无需使用掩模版。 电子束光刻 与其他光刻技术相比，电子束光捌的优点非常明显： 首先，电子束光刻分辨率高，可达0.1um，如直接进行刻蚀可达到几个纳米。 其次，电子束光刻不需要掩模版，非常灵活，很适合小批量、特殊器件的生产。 目前，电子束光刻主要用于制作光学光刻的掩模。其发展方向是尽可能提高曝光速度，以适应大批生产 离子束光刻 离子束光刻分为聚焦离子束曝光(FIB)、掩模离子束光刻(MIB)和离子束溅射光刻（BfP)。离于束光刻利用离子源进行曝光。 其原理是通过加热使附在一根金、钨或钽的针尖端的镓或金硅合金熔化，在外加电场作用下使液态金属表面产生场致离子发射。其发射面积极小，可以较容易地利用离子光学系统将发射离子聚焦成微细离子束，进行高分辨率离子束曝光。 X射线光刻 优点 速度快 高分辨率 0.5 μm 解决深度问题 高深宽比 缺点 需要较高的X射线源 需要高分辨率的光刻胶 X射线的掩模版制造困难 微立体光刻成型技术 紫外光通过光闸，透镜以及与Z工作台固连的透明玻璃板聚焦到液态紫外聚合物上形成片状单元，随着xy工作台的移动可固化一层又一层的片状单元，直到形成最终聚合物三维结构。整个加工过程都是由计算机控制的。 谢谢观赏！ 任课老师：李爱农 汇 报 人：邹 旺 MEMS—光刻技术 1 光刻机 2 光刻流程 3 光刻胶 光刻工艺发展 4 微细加工技术中的加工方法种类繁多，可以按现代加工技术的一般分类方法将其分为四大类： 1）去除加工——将材料的某一部分分离出去的加工方式，如光刻、化学刻蚀、电解抛光等； 2）增材加工——同种或不同材料的附和加工或相互结合加工，如化学镀、电镀、溅射沉积、离子镀膜等； 3）变形加工——使材料形状发生改变的加工方式，如微细离子流抛光（研磨、压光）、热流动表面加工（气体高温、高频电流、热射线、电子束、激光）等； 4）整体处理及表面改性等。 光刻是加工制造集成电路图形结构以及微结构的关键工艺之一。 光刻工艺就是利用光敏的抗蚀涂层发生光化学反应，结合腐蚀方法在各种薄膜或硅上制备出合乎要求的图形，以实现制作各种电路元件、选择掺杂、形成金属电极和布线或表面钝化的目的。 光刻的整个生产过程 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变 正胶 凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以降解反应为主的光刻胶称为正性光刻胶，简称?正胶。 ⑴PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)光刻胶 ⑵由重氮醌酯（DQ）和酚酫树酯（N）两部分组成的DNQ。 分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶 负胶 凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以交联反应为主的光刻胶称为负性光刻胶，简称负胶。 ⑴两种组成部份的芳基氮化物橡胶光刻胶 ⑵Kodak KTFR（敏感氮化聚慔戌二烯橡胶） 分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条；这类光刻胶粘附力强，耐腐蚀，容易使用和价格便宜，是常用的光刻胶。 正胶：曝光后可溶 负胶：曝光后不可溶 光刻胶的性能指标 (1)分辨率：分辨率是指用某种光刻胶光刻时所能得到的最小尺寸 (2)灵敏度：光刻胶的感光灵敏度反映了光刻胶感光所必须的照射量 (3)粘附性：光刻胶与衬