第二章逻辑门电路158.pptVIP

三. 输入级和输出级的作用 TTL门电路输入端负载特性 2.输出高电平VOH（输入至少一个为0） 典型值：3.6V; 标准高电平 VOH=2.4V 3.输出低电平VOL（输入全为1） 典型值：0.2V; 标准低电平 VOL=0.4V 补充： TTL与非门的参数 “1”: 悬空或接+5V （高电平下限值） （低电平上限值） VOH(min) 1 0 2.4V 0.4V VOL(max) （3.1.2逻辑电路的一般特性） 1.电压传输特性：(如图接法，传输特性同TTL反相器） V 1 V · 4.噪声容限： 定义： 高电平噪声容限 VNH=VOH-VIH 低电平噪声容限 VNL=VIL-VOL 对于TTL 74系列： VNH=2.4V-2V=0.4V VNL=0.8V-0.4V=0.4V VIH(min) VIL(max) VOL(max) VNH 1 0 驱动门 负载门 VOH(min) VNL 1 0 2.4V 0.4V 2V 0.8V 体现一种容错能力 5.输入短路电流：IIL 6.高电平输入电流：IIH 1 mA mA UCC 7.开门电平和关门电平： VON:Vi由小变大，VO ↘ 到VOL时对应的Vi。 0.4V 1.3V左右 VOFF:Vi由大变小，VO ↗ 到VOH时对应的Vi。 2.4V 1.0V左右 低电平输入电流 对前一级门电路相当于一灌电流负载 IIL IIH 对前一级门电路相当于一拉电流负载 与非门一输入端Vi ，其余各输入端“1” 0.4mA 20μA 8.扇入与扇出数 1）扇入数:与非门输入端的个数 T1 T2 Rb1 Rc2 Re2 vI B A C 图中TTL与非门的扇入数 Ni=3 2）扇出数:驱动同类负载门的个数。（反映门电路的带负载能力） 分带灌电流负载和拉电流负载两种情况 VCC T4 T3 D Rc4 灌电流负载：驱动门输出“0”,负载门输入级相对应的e结导通，电流由负载门流进驱动门 拉电流负载：驱动门输出“1”,负载门输入级相对应的e结反偏，反向饱和电流从驱动门流向负载门 0 1 IIL IIH a.当输出为低电平时的扇出数（灌电流负载） 能带的灌电流负载门数： NOL=IOL/IIL nIIL过大： 超过T3的集电极允许电流 应使 nIILIOL IIL、 IOL可由附录A查出(P504) IOL :输出低电平电流 T3所允许的最大集电极电流 IIL：输入短路电流 VCC T4 T3 D Rc4 nIIL IIL IIL IIL * 电路如图所示，已知BJT的 ?=80， Rb=300k， Rc=2k， VBB=VCC= +12V，晶体管导通时VBE＝0.7V（计算时可忽略）。 ①试分析BJT工作在那个区域，并求此时的IB、IC、VCE。 ②若Rb=100K时，BJT又工作在那个区域，此时的IB、IC、VCE又为多少？ ？（忽略BJT的饱和压降） 测验 第二章 逻辑门电路 基本要求： 了解MOS管和BJT管的开关特性 了解CMOS电路、TTL电路的组成、工作原理 掌握典型CMOS和TTL门的逻辑功能、特性、参数和使用方法 了解其他逻辑门电路的特点 了解逻辑门使用中应注意的问题 前面：基本逻辑运算（逻辑门）做为黑匣子，表示 输入、输出间的逻辑关系 本章：打开黑匣子，了解内部结构、工作原理，掌握外特性。 3.2 TTL逻辑门电路 3.2.1 BJT的开关特性 1、BJT的静态开关特性 截止状态 -2V 0.3V 使发射结反偏或小于死区电压 iB ≈ 0 , iC ≈ 0 vCE ≈VCC D C 3.2 TTL逻辑门电路 3.2.1 BJT的开关特性 1、BJT的静态开关特性 5V 较大正偏电压 0.2~0.3V iC≈ICS=VCC/RC iB较大 c、e间相当于一个受iB控制的开关 饱和状态 iC＝ICS≈ 很小，约为数百欧，相当于开关闭合 可变 很大，约为数百千欧，相当于开关断开 c、e间等效内阻 VCES ≈ 0.2~0.3 V VCE＝VCC－iCRc VCE ≈ VCC 管压降 且不随iB增加而增加 iC ≈ ?iB iC ≈ 0 集电极电流 发射结和集电结均为正偏 发射结正偏，集电结反偏 发射结和集电结均为反偏 偏置情况 工作特点 iB iB≈0 条件 饱 和 放 大 截 止 工作状态 BJT的开关条件 0 iB iC＝ICS≈ 2、BJT的动态开关特性 t O vI +VB2 -VB1 t O iC ICS 0.1ICS 0.9ICS tr td ts tf 对上图的B