第一章 累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究.pdf

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．1(2014) 018501 累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应 敏感性研究冰 肖尧)十 郭红霞)2) 张凤祁) 赵雯) 王燕萍) 丁李J~Jl1) 范雪3) 罗尹虹) 张科营) 1)(强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室，西北核技术研究所，西安 710024) 2)(中国科学院新疆理化技术研究所，乌鲁木齐 830011) 3)(电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054) (2013年8月 18日收到；2013年9月11日收到修改稿) 本文利用 。。Co 源和兰州重离子加速器，开展不同累积剂量下，静态随机存储器 (staticrandomaccess memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究，获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势， 分析其辐照损伤机理．研究表 明，随着累积剂量的增加，SRAM器件漏 电流增大，影响存储单元低电平保持电 压、高电平下降时间等参数，导致 “反印记效应’研究结果为空间辐射环境中宇航器件的可靠性分析提供技术 支持． 关键词：累积剂量，单粒子效应，静态随机存储器，反印记效应 PACS：85．30．De，61．81．Fk DOI：10．7498／aps．63．018501 联对其空问应用产生重要影响．”，因此研究不同累 1 弓J 言 积总剂量下的单粒子效应敏感性对于长寿命卫星 的宇航器件可靠性有重要意义． 空问辐射环境的各种射线粒子会导致航天器 自20世纪80年代 以来，国外对空问辐射环境 电子元器件和 电子学系统性能退化和失效 [，引，由 中累积剂量影响SRAM器件单粒子效应敏感性开 辐射导致的故障占总故障的45％，对航天器电子学 展研究并取得了一定成果．文献f51利用40MeV 系统的可靠性和寿命构成严重威胁．空问辐射环 质子开展实验 ，结果表明随着累积剂量的增加，S— 境下，CMOS工艺器件主要 以总剂量效应和单粒子 RAM单粒子翻转率上升；文献 6『]开展重离子微束 效应为主 器件损伤 由两种效应的综合辐射作用 辐照实验，认为累积剂量造成MOS晶体管阈值 电 导致．目前我 国在轨卫星向着高寿命、高可靠、高性 压的负漂移，降低了NMOS单粒子翻转截面，增加 能的趋势发展，对于10—15年的在轨卫星，总剂量 了PMOS翻转截面．文献 7『—91表明累积剂量影 阈值约为100krad(Si)，在50krad(Si)左右时潜在 响SRAM 单粒子效应与器件工艺尺寸和单粒子效 损伤造成的漏电已有量级的变化[4J这种潜在损伤 应测试时的测试 图形有直接关系，不同器件存储不 可能会导致器件单粒子敏感性发生变化，严重时可 同测试图形时单粒子敏感性随累积剂量呈现 出不 以使器件抗单粒子性能降低 1—3个数量级，成为 同的变化趋势．对于较大尺寸器件，研究结果表现 影响卫星长寿命、高可靠的关键 问题．2008年美 国 为 “印记效应”；对于深亚微米和纳米级等小尺寸器 Sandia国家实验室指出：“空间辐射环境中电子或 件，研究结果不具有一致性，有的器件与大尺寸器 质子的总剂量辐射损伤与单粒子翻转敏感性的关 件规律相同，为 “印记效应”，有的器件与大尺寸器 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 (批准号：KFJJ201306)资助的课题． ’通讯作者