等离子体辅助ITO薄膜低温生长.pdfVIP

真 　空 　科 　学 　与 　技 　术 　学 　报 第 2 8 卷 　增刊 　　　　　　　　　　　　 　　　　　　 74 CHIN ESE JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLO G 2008 年 5 月 　 等 离 子 体 辅 助 ITO 薄 膜 低 温 生 长 张天伟 　杨会生 3 　罗庆洪 　王燕斌 　陆永浩 ( 北京科技大学 材料科学与工程学院 　北京 　) Low Tempera tur e ITO Film Gr owt h by Pla sma Assisted Deposition 3 Zhang Tianwei , ang Huisheng ,Luo Qinghong ,Wang anbin ,Lu onghao ( College of Materials Science a nd Engineering , B eijing University of Science a nd Technology , Beijing 100083 , China) 　　Abstr act 　The indium tin oxides ( ITO) coati ngs wer e grown by plasma assisted deposition at room temperature on water2cooled polyet hylene terephthalate ( PET) substrates. The morp hology and p roperties of the ITO films were character2 ized wit h X2ray diffraction (XRD) ,X2ray p hotoelectron sp ectro scopy ( XPS) and scanning electron micro scopy ( SEM) . The infl uence of the film growth conditions on its micro structures and its p roperties was studied. The results show that high quality polycrystalline ITO films with crystal grains can be deposited with the technique under optimized growth condi2 tions . The lowest resistivity of t he ITO film on PET substrate was found to be 111 ×10 - 3 Ω·cm . 　　Key wor d s 　Magnetron sputtering ,Plasma assistance ,ITO thin films 　　摘要 　采用基片加热和后期热处理的手段使 ITO 薄膜结晶和调整其组 织结构来降低 电阻的方法 , 已经被广泛应用 于在 玻璃等基体上制备 ITO 薄膜 。但是随着不耐高温的柔性基体 的广泛 使用 , ITO 薄膜低温生长已经成 为一个 重要的研究课题 。 为此 ,本研究探讨 室温等离子体 辅助 条件 下 ,ITO 薄膜沉积生长过程 , 以期为上述问题的解决提供理论依据 。研究结果表 明: 等离子辅助可以有效控制 ITO 薄膜的结晶程度和晶粒尺寸 以及晶界结构 ,在优 化条件下 ,在 PET 基体上制 备出电阻率为 111 ×10 - 3 Ω·cm 的 ITO 薄膜 。 关键词 　磁控溅射 　等离子辅助 　ITO 薄膜