模拟电子技术第八讲.ppt

《模拟电子技术基础》 模拟电子技术基础 （第四版） 童诗白 华成英 主编  课程回顾 静态工作点的稳定 一、温度对静态工作点的影响 二、静态工作点稳定的典型电路 三、稳定静态工作点的方法 晶体管放大电路的三种接法 一、基本共集放大电路 二、基本共基放大电路 三、三种接法放大电路的比较 §1.4 场效应管§2.6 场效应管放大电路 一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 一、场效应管（以N沟道为例） 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 1. 结型场效应管 符号 结构示意图 栅极 漏极 源极 导电沟道 单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ UGS（off） 漏-源电压对漏极电流的影响 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） g-s电压控制d-s的等效电阻 输出特性 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： 夹断电压 漏极饱和电流 转移特性 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。 2. 绝缘栅型场效应管 uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 SiO2绝缘层 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 大到一定值才开启 增强型MOS管uDS对iD的影响 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？ iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGD＝UGS（th）,预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区 刚出现夹断 uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 耗尽型 MOS管 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 MOS管的特性 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 场效应管的主要参数 一、直流参数 1）开启电压UGS（th) 2）夹断电压UGS（0ff) 3）饱和漏极电流IDSS 4）直流输入电阻RGS（DC） 增强型MOS管的参数 结型管和耗尽型MOS管的参数 对于耗尽型管，在UGS=0时产生预夹断时的iD定义为IDSS。 结型管：RGS(DC)107Ω MOS管：RGS(DC)109Ω 二、交流参数 1）低频跨导gm 2）极间电容： Cgs、Cgd、Cds 恒流区时 说明 ①gm是转移特性曲线上某点切线的斜率； ②iD gm 三、极限参数 3）最大耗散功率 PDM 1）最大漏极电流 IDM 2）击穿电压：U(BR)DS、U(BR)GS 注意 对于MOS管：①要避免栅极悬空； ②焊接时，电烙铁应良好接地。 场效应管与晶体管的比较 场效应管 晶体管 电极 g、s、d b、e、c 控制类型 电压控制元件 电流控制元件 控制能力 较弱（gm较小） (gm≈1~5mS) 较强（β较大） (β ≈20~100) 参与导电的载流子 多子 多子和少子 噪声系数 小 大 【例1.4.1】某管子的输出特性曲线如图所示。试分析该管是何种类型的场效应管（结型、绝缘栅型、N沟道、P沟道、增强型、耗尽型）。 【解】该管为N沟道增强型MOS管 【例1.4.2】试分析uI为0、8V和10V三种情况下uo之值。 【解】当uGS=uI=0时，管子处于夹断状态，iD=0 Uo=uDS=VDD-iDRd=VDD=15V 当uGS=uI=8V