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在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，为一个平衡PN结，导电沟道最宽。 （2）漏源电压对沟道的控制作用 讨论1－－作业 讨论1 讨论2－－作业 讨论3 作 业 1.1 1.2 1.3 1.4 1.6 1.8 1.9 1.10 1.14 1.15 晶体管输出特性三个区域的特点？ 双极型管和单极型管的区别？ 画出N沟道增强型MOS管结构，分析工作原理。 ◇ 低频跨导gm： uDS为常数时，漏极电流iD的微变量与引起这个变化的栅源电压uGS的微变量的比。 反映栅源电压uGS对漏极电流iD的控制能力， 是表征FET放大能力的一个重要参数。 gm也可以在转移特性曲线上求得， gm的值较小，一般为十分之几到几mS， iD uGS 0 UGS(off) IDSS 就是转移特性曲线在工作点处的切线斜率， *注意gm的值随工作点的不同而不同。 因此FET的放大能力比BJT弱。 0 2 4 6 4 12 20 UGS=0V -1 -2 -3 -4 -4 -1 -2 -3 0 2 4 6 UGS(off) 转移特性曲线 IDSS 输出特性曲线 1、N沟道JFET的导电特性 夹断电压 D G S FET外特性回顾： 2、N沟道增强型MOSFET的导电特性 iD uDS 0 5V 4V 3V 2V iD uGS 0 UGS(th) IDO 2UGS(th) 转移特性曲线 输出特性曲线 开启电压 G D S 3、N沟道耗尽型MOSFET的导电特性 iD uDS 0 0.2V 0V -0.3V -0.6V 0.4V iD uGS 0 UGS(off) IDSS UGS(off) G D S B MOS管的四种基本类型－－符号 G S D N 沟道耗尽型 G S D N沟道增强型 G S D P 沟道增强型 G S D P 沟道耗尽型 MOS管另外一种常用符号 栅极 源极 漏极 栅极(gate) 源极(source) 漏极 (drain) Vgs Vgs N沟道MOS管 P沟道MOS管 + - + - 场效应管FET与BJT的比较 放大能力 稳定性及噪声 直流输入电阻 控制方式 结构对称性 导电机理 β较大，放大能力较强 gm较小，放大能力较弱 受温度和辐射影响较大 具有较好的温度稳定性、抗辐射性和低噪声 因发射结正偏，直流输入电阻相对较小 直流输入电阻很大，JFET大于107Ω，MOSFET大于1010Ω 电流控制型器件iB控制iC 电压控制型器件uGS控制iD 结构不对称C、E不能互换 结构对称一定条件下D、S可互换 双极型三极管多子、少子都参与导电 单极型三极管利用多子导电 BJT FET 1. V＝2V、5V、10V时二极管中的直流电流各为多少？ 2. 若输入电压的有效值为5mV，则上述各种情况下二极管中的交流电流各为多少？ V 较小时应实测伏安特性，用图解法求ID。 Q ID V＝5V时， V=10V时， uD=V-iR 继续 清华大学 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn V＝2V，ID≈2.6mA V＝5V，ID≈ 21.5mA V＝10V，ID≈ 50mA 在伏安特性上，Q点越高，二极管的动态电阻越小！ 2 1. 分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态； 2. 已知T导通时的UBE＝0.7V，若uI=5V，则β在什么范围内T处于放大状态?在什么范围内T处于饱和状态？ 通过uBE是否大于Uon判断管子是否导通。 临界饱和时的 3 清华大学 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、β。 2.7 ΔiC uCE=1V时的iC就是ICM U（BR）CEO 继续 作业： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ USB =-2V， IB=0 ， IC=0， Q位于截止区 USB =2V， IB= (USB -UBE)/ RB =(2-0.7)/70=0.019 mA IC= ?IB =50?0.019=0.95 mA ICS =2 mA ， Q位于放大区 IC最大饱和电流ICS = (USC -UCES)/ RC =(12-0)/6=2mA IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE 继续 IC UCE IB USC RB USB C B E RC ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时, 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ USB =5V， IB=