第三代半导体双雄之氮化镓.PDFVIP

“第三代半导体双雄” 之氮化镓 新材料在线 产业研究院 2015年9月 01 半导体材料的发展历程 主要材料 ：Si Ge 技术标志水平 ：大的晶片尺寸，窄的线 第一代 条宽度（如12 英寸/0.15 微米技术 ） 半导体 主要产品形式 ：以大规模集成电路为主 要技术的计算机等电子产品 主要材料 ：砷化镓（GaAs ）、磷化铟 （InP ）等Ⅲ-Ⅴ砷化物和磷化物 第二代 技术标志水平 ：使通讯速度、信息容量、 半导体 存储密度大幅提高 主要产品形式 ：以光发射器件为基础的 光显示、光通讯和光储存等光电子系统 主要材料 ：碳化硅 （SiC ）、氮化镓 （GaN ）、氧化锌（ZnO ）、硒化锌 第三代 （ZnSe ）、金刚石、氮化铝（AlN ）等宽 半导体 禁带半导体材料为主 技术标志水平 ：禁带宽度更高 主要产品形式 ：制作抗辐射、高频、 大功率和高密度集成的电子器件 02 GaN简介 特点 • 宽的带隙 • 强的原子键 • 高热导率 • 高熔点材料，约为1700℃ • 六方纤锌矿结构 • 化学稳定性好，耐腐蚀 优势 曾经的“中流砥柱”Si功率器件已日趋其发展的材料极限， 难以满足当今社会发展对于高频、高温、高功率、高能效、 耐恶劣环境以及轻便小型化的新需求。以SiC和GaN为代表 的第三代半导体材料凭借其优异属性，将成为突破口，正在 迅速崛起。 图 第三代半导体与Si的性能对比 Source:Yole 03 III族氮化物材料体系 全组分可调、全组分直接带隙、强极化、耐高温、抗辐照、可 实现低维量子结构。 禁带宽度的理论公式 E (Ga In N)=E (GaN)*x + E (InN)*(1-x) – b*x*(1-x) g x 1-x g g E (Ga Al N)=E (GaN)*x + E (AlN)*(1-x) – b*x*(1-x) g x 1-x g g  III族氮化物材料体系——带隙调制范围最宽  唯一覆盖红外到紫外波长的半导体体系 04 GaN衬底的制备工艺 GaN体单晶制备是一大难点 GaN在高温下分解为Ga和N2 ，常压下无法融化，只有在 2200℃以上，6GPa以上的氮气压力下才能使GaN融化。所 以传统直拉法和布里奇曼法都不能用来生长GaN单晶。 异质外延生长是目前主流的GaN衬底制备技术 异质外延