第6章MOSFET及相关器件.pptVIP

MOSFET及相关器件 ? MOS二极管 ? MOSFET基本原理 ? MOSFET按比例缩小 ? CMOS与双极型CMOS ? 绝缘层上MOSFET ? MOS存储器结构 ? 功率MOSFET MOS二极管 MOS二极管在半导体器件物理中占有极其 重要的地位，因为它是研究半导体表面特性最 有用的器件之一．在实际应用中，MOS二极管 是先进集成电路中最重要的MOSFET器件的枢 纽．在集成电路中，MOS二极管亦可作为一储 存电容器，并且是电荷耦合器件(CCD)的基本 组成部分 理想MOS二极管 MOS二极管的透视结构如图(a)所示．图 (b)为其剖面结构，其中d为氧化层的厚度，而 V为施加于金属平板上的电压．当金属平板相 对于欧姆接触为正偏压时，V为正值；而当金 属平板相对于欧姆接触为负偏压时，V为负值 在前一图中，我们假设当金属平行板上的电压发生变化时，所有增加的电荷将出现在耗尽区的边缘，事实上，只有当测量频率相当高对才会发生． 然而，假如当测量频率足够低 时，使得表面耗尽区内的产生-复合 率与电压变化率相当或是更快时， 电子浓度(少数载流子)与反型层中 的电荷可以跟随交流的信号．因此 导致强反型时的电容只有氧化层电 容C0而已．右图为在不同频率下所 测得的MOS的C-V曲线，注意低频 的曲线发生在≤100Hz时． 一、输出特性 当在栅极上施加一偏压，并在半导体表面产生反型．若在漏极加一小量电压，电子将会由源极经沟道流向漏极(对应电流为由漏极流向源极)．因此，沟道的作用就如同电阻一般，漏极电流ID与漏极电压成比例，此即如图(a)右侧恒定电阻直线所示的线性区． 半导体表面强反型形成导电沟道时，沟道呈现电阻特性，当 漏-源电流通过沟道电阻时将在其上产生电压降。若忽略其它电阻， 则漏端相当于源端的沟道电压降就等于漏-源偏置电压VDS。由于沟 道上存在电压降，使栅绝缘层上的有效电压降从源端到漏端逐渐减 小，降落在栅下各处绝缘层上的电压不相等，反型层厚度不相等， 因而导电沟道中各处的电子浓度不相等。当漏极电压持续增加，直 到漏端绝缘层上的有效电压降低于表面强反型所需的阈值电压VT时， 在靠近y=L处的反型层厚度xi将趋近于零，此处称为夹断点P，如图 (b)． 此时的漏-源电压称为饱和电压 VDsat。超过夹断点后，漏极的 电流量基本上维持不变，因为 当VDVDsat 时， 在P 点的电压 VDsat保持固定 MOSFET基本原理 为推导出基本的MOSFET特性，将基于下列的理想条件： (1)栅极结构如理想MOS二极管，即无界面陷阱、固定氧化层电 荷或功函数差； (2)仅考虑漂移电流； (3)反型层中载流子的迁移率为固定值； (4)沟道内杂质浓度为均匀分布； (5)反向漏电流可忽略； (6)沟道中由栅极电压所产生的垂直于ID电流方向的电场远大于 由漏极电压所产生的平行于ID电流方向的电场． 最后的一个条件称为缓变沟道近似法，通常可适用于长沟道的 MOSFET中，基于此种近似法，衬底表面耗尽区中所包含的电荷量 仅由栅极电压产生的电场感应所生成． MOSFET种类 依据反型层的形式，MOSFET有四种基本的形式．假如在零栅 极偏压下，沟道的电导非常低，必须在栅极外加一正电压以形成n沟 道，则此器件为增强型(或称常关型)n沟道MOSFET．如果在零偏压 下，已有n沟道存在，而必须外加一负电压来排除沟道中的载流子， 以降低沟道电导， 则此器件为耗尽型( 或称常开型) n 沟道 MOSFET．同样也有p沟道增强型与耗尽型MOSFET． 需注意的是，对增强型n沟道器件而言，必须施加一个大于阈 值电压VT的正栅极偏压，才能有显著的漏极电流流通．对耗尽型n 沟道器件而言，在VG=0时已有大量电流流通，且变动栅极电压可以 增减其电流．以上的讨论在改变极性后，亦可适用于p沟道器件． 精确控制集成电路中各MOSFET的阈值电压，对可靠的电路工 作而言是不可或缺的．一般来说，阈值电压可通过将离子注入沟道 区来加以调整． 如：穿过表面氧化层的硼离子 注入通常用来调整n 沟道 MOSFET的阈值电压．这种方 法可以精确地控制杂质的数量， 所以阈值电压可得到严格的控 制．带负电的硼受主增加沟道 内掺杂的水平，因此VT将随之 增加．相同地，将少量的硼注 入p沟道MOSFET，可降低VT 的绝对值．右图为不同掺杂浓 度的VT。 MOSFET按比例缩小 MOSFET尺寸的缩减在一开始即为一持续的趋势.在集成电路中, 较小的器件尺寸可达到较高的器件密度．此外，较短的沟道长度可 改善驱动电流(ID～1/L)以及工作时的特性．然而，由于器件尺寸的 缩减，沟道边缘( 如源极、漏极及绝缘区边缘)的扰动将变得更加重 要．因此器件的特性将不再遵守长沟道近似的假