金属Ti中He泡引起的缺陷行为.pdfVIP

186 中国工程物理研究院科技年报 图 1 与yl／2的关系图 图 2 经多次充放电循环的纳米Mg2Ni合金电极的循环伏安曲线 Mg~Ni纳米合金电极充／放 电过程计时电位 曲线表明：Mg2Ni纳米合金电极充电过程(阴极还原过程)包 含两个还原阶段的波形，放 电过程(阳极氧化过程)也包含两个步骤。 纳米 Mg2Ni氢化物的DSC—TG分析表明：样品的失重曲线分为两段，对应 DSC 曲线上 249．5℃和 354．612的两个吸热峰，这对应于Mg2NiI-h的两步离解反应： M g2NiH4--~Mg2NiH H2 M g2Ni+H2 纳米 Mg2Ni氢化物的脱氢反应从 172．1℃开始，比传统方法制备的晶态 Mg2Ni氢化物的脱氢温度 (247297℃)下降了约75℃。 经过多次充傲 电循环的Mg2Ni纳米合金电极的循环伏安曲线见图2。由图2可见，两个阴极还原峰和 两个阳极氧化峰。而晶态Mg2Ni合金电极的循环伏安曲线上则没有任何氧化还原峰出现。这表明，用机械 合金化制备的Mg2Ni纳米合金材料性能得到了显著的提高，这与DSC—TG分析结果一致。 综合计时电位曲线、DSC-TG曲线以及循环伏安曲线可知：Mg2Ni纳米合金电极充电过程(阴极还原过 程)包含Mg2Ni+H--+Mg2NiH~，Mg2NiHf卜}{-~Mg2NiI-h两个还原阶段的波形；Mg2Ni纳米合金电极的放电过 程(阳极氧化过程)包含MgaNiI-I4--~Mg2NiH 卜}{，Mg2Ni MgaNi+H这两步放氢反应过程；采用机械合金 化法制备纳米粉末材料是改善Mg2Ni合金吸傲 氢性能的有效手段。 8．14 金属Ti中He泡引起的缺陷行为 孙铁英 龙兴贵 汪 俊 侯 氢 吴仲成 彭述明 罗顺忠 对金属Ti中He泡的长大行为进行分子动力学模拟，研究He泡周围的缺陷行为及其压力变化，分析He 泡的生长机制。 文中分别采用Tight-binding势和Lennard-jones势描述Ti—n和He-He的相互作用。采用从头计算方法拟 合He—Ti作用势，拟合的He_-Ti势是Lennard-Jones势函数的形式 ()= ( 3一3．21( 】， 8=0．4489eV，础 ．237723nm (1) ，． ， 采用逐渐添加He原子的方式向体系中引入He。当He原子数 目加到62个时，经过7ps的分子动力学 弛豫出现了缺陷的整体漂移现象。由于He泡的生长是一个随机过程，不同的随机数会导致He泡的形状不 同，因此文中对He泡长大的模拟过程重复了3次。尽管每次缺陷漂移现象产生时团簇中He原子数 目不尽 相同(第2次He泡生长模拟中，加到第 65个He原子时发生缺陷整体漂移现象)，但是每次模拟都会观察 材 料 187 到缺陷漂移现象的出现。 用式(2)计算氦泡的压强，He泡压强与He原子数 目的变化关 系。 1 Ⅳ P= BT+ ／z；tit=J÷∑r，f． (2) i=1 图 l为随He泡压强He团簇中He原子数 目的变化。由图 1 可知，在缺陷漂移前，He泡压强随着He原子数 目的增多而增大， 缺陷漂移时泡内压强迅速降低，当继续添加He原子后，泡内压强 继续随He原子数 目的增加而增大。这说明缺陷漂移现象的发生使 He原子数 目 得He泡内过高的压强得以释放，从而有助于He泡继续长大，揭 图 1 He泡压强与团簇中He原子数目关系 示了纯Ti中He泡的生长机制。Evans等对金属Mo中He泡行为的TEM实验也观察到了缺陷漂移现象。 8．15 ParyleneC膜光氧老化后的结构