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中国电机工程学会高压专业委员会高电压新技术学组2006年学术年会
等离子体增强化学气相沉积制备的ZnO薄膜研究
郭爱波，刘玉萍，陈枫，李斌，但敏，刘明海，胡希伟
(华中科技大学电气与电子工程学院，武汉430074)
ResearchofZnOThinFilmsGrownPlasma—enhancedChemical
by VaporDeposition
GUO
Aibo，LIU Bin，DANMin，LIU Xiwei
Yuping，CHENFeng，LI Minghai，HU
ofElectricalandElectronic ofScienceand
(College Engineering，HuazhongUniversity
430074)
Abstract：TheZn0thinfilmswerefabricatedon and 另外因其优良的非线性导电特性、大电流和高能量
Copper
substrateswithPlasma-enhancedChemical
glass Vapor承受能力等优点而被广泛应用于抑制电力系统雷
becauseofitsmultifunction．SEMWasusedto
Deposition 过电压和操作过电压、抑制电磁脉冲和噪音，防止
obtaintheSurface of Wasusedto
morphologyZnO；EDAX 静电放电【7J等方面．近年来由于其新的性质和特性
theelementandtherelativecontentsof
analyze types atoms，the
被不断发现而倍受重视。
ofZnandOwereobserved theEDAX
peaks obviouslyby
ZnO薄膜的制备方法很多，主要制备方法有：
results．andtheratiooftheZnandOacomsis
approximately
1：l：XPSresultsshowthatthezincand ofthe
oxygensamples
existas insteadofthe atomofzincand 胶凝胶法1111，分子束外延法1121，喷射热分解法【13】
compounds single
thezinc isfabricated on 等。其中磁控溅射法是目前研究最多、最成熟的一
oxygen；So oxygen successfully
and substrates．ButtheZnOthinfilmson
Copperglass Copper种ZnO薄膜制备方法。本文选用等离子体增强化学
are toabsorbthe and
apt oxygenvaporthroughatmosphere，the
气相沉积方法制备ZnO薄膜，因为和一般MOCVD
ZnO
of thinfilmswillbe a
quality improvedbyfabricating
相比，能更有效地提高薄膜质
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