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技术产品与工程 金属氧化物多层膜背接触晶体硅太阳电池 - - 1,2 1,2 1,2 1,2 3 1,2 1 3 1 3* ■ 吴伟梁 林文杰 赵影文 包杰 刘宗涛 邱开富 梁宗存 沈辉 （1. 中山大学太阳能系统研究所；2. 广东省光伏技术重点实验室；3. 顺德中山大学太阳能系统研究所） 摘 要：采用金属氧化物多层膜作为新型晶体硅太阳电池发射极 并成功制备出多层膜背接触(MLBC) ， 太阳电池 对其器件性能进行详细分析发现 金属氧化物多层膜具有高载流子浓度 低界面 ， ， 、 复合速率 低方阻 以及优异的光学性能 最终所制备的MLBC 太阳电池光电转换效率达 、 ， 。 17.16% 开路电压可达631 mV 相比于V O /n-Si 太阳电池 器件效率提高了1.36% 测试 ， ， 2 x ， 。 结果表明 V O /Ag/V O 作为晶体硅太阳电池发射极 具有低界面复合速率和接触电阻率 ， 2 x 2 x ， ， 具有成为高效率太阳电池的潜力。 关键词：金属氧化物 晶体硅 免掺杂 多层膜 太阳电池 ； ； ； ； 0 引言 级的移动，使其接近硅的导带或价带，可获得载 2016 年，日本Kaneka 公司将背接触异质结 流子选择性接触。这种异质结太阳电池主要是 (HBC) 晶体硅太阳电池效率提升到了26.33% ， 采用过渡金属氧化物(TMO) 作为发射极，MoOx [1] 成为全球最高效率的硅基异质结太阳电池 。 最早被应用于n-Si 太阳电池中作为发射极，因 HBC 太阳电池具有较高的制备工艺难度，是将 其功函数可达到6.6 eV，超过了金属的功函数， E 背接触和异质结技术相结合，由晶体硅和非晶硅 且MoOx 的光学带隙 3.0 eV ，可有效减小发