半导体-金属复合结构中的异常磁电阻效应分析.pdfVIP

第24卷第4期 苏 州 大 学 学 报 (自然科学版) Vo1．24 No．4 2008年 lO月 JOURNALOFSUZHOUUNIVERSITY(NATURALSCIENCEEDITION) Oct．2008 半导体一金属复合结构 中的异常磁电阻效应分析 宋亚舞，孙 华 (苏州大学 物理科学与技术学院，江苏 苏州 215006) 摘 要 ：从电磁方程的解析解出发 ，分析高对称性 vanderPauwdisk装置的异常磁电阻效应，重点研究该体系 的几何非均匀性与物理非均匀性对整体磁电阻效应的影响．通过定义三个非均匀参数表征体系的非均匀性． 给出该装置中电磁输运性质随非均匀系数的变化．计算结果表明，体系的磁电阻比值在一定的几何非均匀结 构下达到最优化，整个装置在磁场下呈现出良好的开关效应．同时，材料在迁移率和电阻率上的非均匀性对异 常磁电阻效应产生明显影响．特别地，组分电阻率的差别导致异常磁电阻效应出现符号翻转． 关键词：异常磁电阻效应；vanderPauwdisk装置；电磁输运 中图分类号：0469 文献标识码 ：A 文章编号：1000—2073(2008)04—0053—04 0 引 言 近年来，磁 电阻(magnetoresistance，简称 MR)效应因其重要的学术意义与应用价值受到广泛的关注 1I4] 伴随着磁记录工业的迅猛发展，磁存储器件在容量、速度、稳定性等各方面的技术指标 日益提高．为了满足技 术发展的迫切要求，如何在室温条件下获得稳定而显著的磁电阻效应成为 目前磁输运研究领域的核心问题之 一 ． 最近的实验在具有非均匀性的非磁性半导体材料中观察到一种新型的磁电阻效应．Solin等人在非磁性半 导体 InSb构成的vailderPauwdisk装置中嵌入同心的金圆盘，并在这种人工制成的特殊非均匀结构中观察到 显著的正磁电阻效应 ．当金属与半导体的比例达到一定数值时，该磁电阻效应达到最优值．在室温下，外加 0．05T的磁场可获得 100％的磁电阻．若磁场增强到4T，可获得高达750000％的磁电阻效应．从实验中观察到 的MR行为特征来看，该材料的电阻表现为随外加磁场的增大而增大，即 “正磁电阻效应”，这与人们熟知的 巨磁电阻或庞磁电阻效应截然相反．这一显著的差别来 自它们在磁输运机制上的本质差异．基于磁性材料的 巨磁电阻或庞磁电阻效应起源于外加磁场通过输运电子的自旋 自由度对输运性质产生的影响．而上述两个实 验中，由于材料的非磁性 ，磁输运机制主要依赖于载流子的轨道 自由度，体系的磁输运行为是磁场对载流子轨 道作用的宏观体现．与此类似的是普通金属中常见的 “正常磁电阻效应”(ordinarymagnetoresistance)．后者在 普通的非磁性金属中被普遍观察到，它同样起源于磁场对载流子运动轨道的影响(洛仑兹效应)，电阻随磁场 增加，但通常幅度极小，完全达不到应用的要求．非磁性半导体中发现的显著磁电阻效应可被视为是 “正常磁 电阻效应”在特定半导体结构中的再现和增强，因此被称为 “异常磁电阻效应”(extraordinarymagnetoresist． ance，简称EMR)． 实验中，vanderPauwdisk装置的异常磁电阻效应来源于嵌入半导体材料的金属圆盘带来的非均匀性与 霍尔效应下磁场对电流的偏转的联合效应．实验表明，整个装置的几何构形，特别是标志着非均匀度的金属圆 盘半径／整体半径之比，对磁电阻的大小与行为特征都产生明显影响．因此，这种金属一半导体复合结构的异常 磁电阻效应具有结构简单、磁电阻效应强烈、可控性高的特点．同时，相对于依赖微观输运机制的巨磁电阻和 庞磁电阻效应，具有几何起源的EMR对温度的稳定性更强，为在室温下实现 良好的磁电阻效应提供 了 可能 一 ． 本文从电磁方程的解析解出发，分析高对称性下vanderPauwdisk装置的磁输运性质，重点研究该体系 的几何非均匀性与物理非均匀性对整体磁电阻效应的影响．结果表明，在引入适当的几何非均匀下，整个装置 收稿 日期：2008—40 —10 基金项 目：国家 自然科学基金资助项目 作者简介：宋亚舞(1978一)，男，江苏连云港人，硕士研