发射结正偏 - Read.PPT

* 3 半导体三极管及放大电路 3.2 共射极放大电路 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共基极电路和共射极电路 3.7 放大电路的频率响应 3.1 半导体BJT 3.1 半导体三极管（BJT） 几种 BJT 的外形 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 结构与分类 两个PN结、三个引脚，两种类型：NPN和PNP型。 一、 BJT的结构、符号及放大条件 集电结 发射结 B E C NPN型三极管 B E C PNP型三极管 BJT符号 N P N C B E P N P C B E 　　由于PN结之间的相互影响，使BJT表现出不同于单个PN结的特性而具有电流放大作用。 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 结构特点 BJT放大的内部条件 发射区的掺杂浓度最高； 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米， 且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 1 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 IB BJT放大的外部条件：发射结正偏，集电结反偏 B E C N N P EB RB Ec IE 从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC。 IC IC IB 三极管能放大电流的必要条件： 发射结正偏，集电结反偏。 IE=IB+ IC IE=IB+ IC 根据KCL IE=IB+ IC 令 α= IC / IE 　为共基极电流放大倍数 　α 1 (0.9～0.99) 根据KCL IE=IB+ IC 令 ? = IC / IB 为共射极电流放大倍数 　　　 ? 1 (10～100) 一般放大电路采用30～80为宜，太小放大作用差，太大性能不稳定。 因为　 IC = α IE IB = IE － IC = IE －α IE 所以　 ? = IC / IB = α IE /(IE －α IE ) = α /(1-α) 即为α与?的关系 对NPN管，放大时　VC VB VE 对PNP管，放大时　VC VB VE c + e VBB VCC - vBE iB + - vCE iC b 共射极放大电路 vCE = 0V iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 vCE = 0V vCE ? 1V (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 二、 BJT的特性曲线 （以共射极放大电路为例） 此时，曲线基本相同，为一般常用曲线。 (3) 输入特性曲线的三个部分 ①死区 ②非线性区 ③线性区 1. 输入特性曲线 iC=f(vCE)? iB=const 2.输出特性曲线 饱和区：Je正偏，Jc正偏。 该区域内，一般vCE 1V 0.(硅)。 放大区： Je正偏，Jc反偏。　曲线基本平行等距。 　 截止区： Je反偏，Jc反偏。ic轴接近零的区域， 相当iB=0的曲线的下方。 此时， vBE小于死区电压。 输出特性曲线的三个区域 (1)共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const 1. 电流放大系数 三、BJT的主要参数 (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const (3) 共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE (4) 共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。 三、BJT的主要参数 1. 电流放大系数 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 2. 极间反向电流 ICEO (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 三、BJT的主要参数