称为空穴.PPT

* pn结具有单向导电性 pn结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；pn结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：pn结具有单向导电性。 * pn结的击穿特性 当反向电压逐渐增大时，反向饱和电流不变。但是当反向电压达到一定值时，pn结将被击穿。 * pn结的击穿特性 在pn结中加反向电压， 如果反向电压过大， 位于pn结中的载流子会拥有很大的动能， 足以和中性粒子碰撞使中性粒子分离出价电子而产生空穴-电子对。 这样会导致pn结反向电流的急剧增大，发生pn结的击穿， 因为被弹出的价电子又可能和其他中性粒子碰撞产生连锁反应， 类似于雪崩，这样的反向击穿方式成为雪崩击穿。 * pn结的击穿特性 掺杂浓度越低所需电场越强。（为什么） 当掺杂浓度非常高时， 在pn结两端加入弱电场就会使中性粒子中的价电子脱离原子的束缚， 从而成为载流子。导致pn结的击穿。这样的击穿被称作齐纳击穿。掺杂浓度越高所需要的电场越弱。 一般小于6V的电压引起的是齐纳击穿， 大于6V的引起的是雪崩击穿。 * 伏安特性 pn结的最大特性为单向导电性，反映到伏安特性曲线如上图。 当正向电压达到一定值时，pn结将产生正向偏置，pn结被导通（图中蓝色部分） 当反向电压在一定范围内时，pn结产生微弱的反向饱和电流（图中绿色部分） 当反向电压超过一定值时，pn结被击穿（图中黄色部分）。 数值有些夸大 真实数值 * 二极管 二极管又称晶体二极管，简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管； 它是一种具有单向传导电流的电子器件。 在半导体二极管内部有一个pn结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向传导电流的特性。 一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的pn结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。 单向传导电流；击穿特性（也就是一个pn结） * 二极管的应用 整流二极管 　　 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。 　　 开关元件 　　 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。 发光元件 发光二极管（LED），问原理是什么？如何设计？ 视频 3_4 3D LED Screen-Dance(三维LED显示屏) * 发光二极管（LED） 发光二极管 英语：Light-Emitting Diode，简称LED 是一种能发光的半导体电子元件。 在半导体p-n结或与其类似结构上通以正向电流时，能发射可见或非可见辐射的半导体发光器件。这叫电致发光效应。 体积小、响应快、寿命长、节能 * 原理——场致发光 半导体中的电子可以吸收一定能量的光子而被激发（光生伏特效应） 同样，处于激发态的电子也可以向较低的能级跃迁，以光辐射的形式释放出能量。也就是电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射光子，这就是半导体的发光现象。 * 原理——场致发光 产生光子发射的主要条件是系统必须处于非平衡状态，即在半导体内需要有某种激发过程存在，通过非平衡载流子的复合，才能形成发光。 根据不同的激发形式，可以有各种发光过程：如电致发光、光致发光和阴极发光等。 电致发光，也称场致发光，是由电流（电场）激发载流子，是电能直接转变为光能的过程。 * 原理——场致发光 发光二极管是一种特殊的二极管。和普通的二极管一样，发光二极管由半导体芯片组成，这些半导体材料会预先透过注入或搀杂等工艺以产生p、n架构。 与其它二极管一样，发光二极管中电流可以轻易地从p极（阳极）流向n极（负极），而相反方向则不能。（为什么？） 两种不同的载流子：空穴和电子在不同的电极电压作用下从电极流向p、n架构。当空穴和电子相遇而产生复合，电子会跌落到较低的能阶，同时以光子的模式释放出能量（光子也即是我们常称乎的光）。 * 结构 * Si的pn结能发光么？ 所发出的光的波长（决定颜色），是由组成p、n架构的半导体物料的禁带能量决定。（禁带宽、发光波长短） 由于硅和锗是间接带隙材料，在这些材料在常温下电子与空穴的复合是非辐射跃迁，此类跃迁没有释出光子，而是把能量转化为热能，所以硅和锗二极管不能发光。但在极低温的特定温度下则会发光，必须在特殊角度下才可发现，而该发光的亮度不明显。 发光二极管所用的材料都是直接带隙型的，因此能量会以光子形式释放，这些禁带能量对应着近红外线、可见光、或近紫外线波段的光能量。（GaAs） 视频： 3_6 Samsung 3D L