薄膜晶体管-调研报告.docVIP

“薄膜晶体管的制备及电学参数”调研报告 （青岛大学物理科学学院，应用物理系） 摘要：20世纪平板显示技术的出现，把人类带入了信息社会，人类社会从此发生了质的飞跃。而平板显示的核心元件就是薄膜晶体管TFT(nlin Film Transistor)，一种在掺杂硅片或玻璃基底上通过薄膜工艺制作的场效应晶体管器件。将半导体氧化物作为有源层来制作TFT用于平板显示中，不仅能获得较高迁移率，器件性能优越，而且制造工艺简单、低温下可以获得，显示出了巨大的应用前景。本文综述了薄膜材料的制备方法，薄膜晶体管的发展历程与应用以及其结构、工作原理和测试表征方法。 关键词：薄膜材料，薄膜晶体管，制备，表征方法 Abstract:In the 20th century,the emergence of the flat panel display technology has brought human beings into the information society．Since then the human society happened a qualitative leap．The core component of flat panel display is the thin film transistor(TFT)，it is a field effect transistor device produced by thin film technology on the doped-silicon or glass．If we use the semiconductor oxide as the active layer，not only we can get a higher mobility，bu also the device performance call be enhanced．And the manufacturing process is simple，low temperatures also can be obtained,which shows a great prospect．The preparation method of thin film materials is reviewed in this paper, the development and application of thin film transistor and its structure, working principle and test method are characterized, Keywords: Thin film materials, thin film transistor, manufacture, characterization methods 前言 薄膜材料是指厚度介于单原子分子到几毫米间的薄金属或有机物层。当固体或液体的一维线性尺度远远小于它的其他二维尺度时，我们称这样的固体或液体为膜。薄膜材料具有良好的韧性、防潮性和热封性能，应用非常广泛。双向拉伸聚丙烯薄膜（BOPP）低密度聚乙烯薄膜（LDPE）聚酯薄膜（PET）?镀铝薄膜Effect Transistor，简称FET）的基本定律并于1930年获得专利，开辟了对固态放大器研究的先河。1933年，Lilienfed又将绝缘栅结构引进场效应晶体管。1962年RCA实验室的P.K.Weimer应用多晶态的硫化镉薄膜做有源层，用SiO2薄膜做有源层，成功制作出了“交叠型”结构器件。1979年，Spear和Ghaith用非晶硅(a-Si)做TFT有源层，氮化硅作为绝缘层成功制作出性能较好的器件。1986年Tsttmura等人首次用聚噻吩为半导体材料制备了有机薄膜晶体管(OTFT)，OTFT技术从此开始得到发展。 薄膜晶体管应用前景 TFT制造技术是高亮度、高集成度平板显示器件的核心，许多新技术。新 产品、新应用都将以TFT为核心技术，对人们的生活产生深刻的影响。显示器 产业发展到今天，平板显示器件正在逐渐代替传统的阴极射线管显示器(CRT)， 成为市场的主流。而平板显示器件中有源驱动TFT-LCD又成为主流。此外，在 未来的新型显示技术中，除了TFT-OLED外，还有场发射显示器件(SED)，以 及柔性电子技术等等，这些都会广泛的应用到TFT核心技术。 薄膜的制备方法 真空蒸镀 真空蒸镀即真空蒸发镀膜，这是制作薄膜最一般的方法。这种方法是吧装有基片的真空室抽成真空，使气体压强达到10Pa以下，然后加热镀料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜。其原理图1如下， 离子镀和离子束沉积 离子镀技术的原