LED原理与制程.pdf

4.1 高內部效率的設計 4.2 高光萃取效率結構設計 4.3 電流分佈的設計 • 4.1.1 雙層異質結構 –一個雙層異質結構包含發生復合的主動區，以 及兩層包夾著主動區的侷限層，圖4.1 為一個 雙層異質結構的LED 結構簡圖，其中的兩層包 覆層（cladding layer ）或是侷限層 （confinement layer ）的能隙比主動區能隙大。 2 • 4.1.2 主動區的摻雜 –在主動區和侷限層的摻雜，對於雙異質結構 LED 效率有重大的影響。摻雜對內部效率的影 響是多方面的，首先考慮在主動區的摻雜。 –III-V 族的砷化物或磷化物的雙異質結構LED 之 主動區一定不可重摻雜。 –在主動區的特意摻雜有優點也有缺點。 –磊晶過程也可能與摻雜有關。 3 • 4.1.3 p-n 接面的位移 –圖4.3 為用二次離子質譜儀（SIMS ）測量Zn 受 體在GaInAsP/InP 的雙異質結構中的濃度曲線分 佈圖。 – 由圖4.3(a) 可看出Zn 在上層侷限層的特意摻雜 濃度分佈平穩，約為2×1017 cm-3 ，且Zn 即使有 一些明顯地擴散到主動層，但大多仍被侷限在 上層侷限層。然而在圖4.3(b) 中，Zn 在上層侷 限層中有較高的特意摻雜濃度，約為2×1019 -3 cm 。 –圖4.3(b) 的元件的量子效能比圖4.3(a) 的元件低。 4 –圖4.4 為 Schubert 等人 在1995 年發 表解釋 GaInAsP/InP 雙異質結構中 p-n 接面位移 的模型，此模 型中假設當 Zn 超過臨界 濃度Ncritical 時 擴散係數會快 速地增加。 5 –侷限層摻雜濃度對雙異質結構雷射在臨界電流 （閾值，threshold ）的輻射效率之影響如圖4.7 ， 圖中顯示在侷限層摻雜會對發光效能有劇烈的 影響。 6 • 4.1.5 非輻射復合 圖 4.8是兩顆 平臺蝕刻的 LED和兩顆 平面的LED 的光強度對 時間的關係 圖。 7 –圖4.12 顯示 AlGaInP 的LED 長在GaAs 的基 底上時光強度 的降低情況。 –圖中顯示出當 發生不匹配度 超過3×10-3 時 （∆a/a 3×10-3 ） 時，光的輸出 會快速的下降。 8 • 4.2.3 透明基板的技術 –GaAs 是一種非常成熟的基板，而操作波長560- 660 nm 的可見光(Al Ga ) In P 的LED 可長在