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二维材料在非挥发性记忆晶胞的应用 - 国家奈米元件实验室
NANO COMMUNICATION 21 No.3
27
(Multilayer Graphene Floating Gate)
[4] /
/ (Program/Erase)
(Floating Gate)
5
(Capacitive
Coupling)
[1]
1(a) [1]
6 (Tunneling Oxide layer, HfO2)
(Charge
4-5
Trapping Layer)
(4.6 eV)
(Potential Well)
(Graphene)
(Charge Retention) 30
(Boron Nitride, BN) (Molybdenum Disulfide,
MoS2)
1(b)
(Control Gate) (Vcg)
[2] (Semimetallic)
9 A/
( 10
2 1(c)
cm )
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