阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响.pdfVIP

维普资讯 液 晶 弓 显 示 Vo】 】5． 4 ChineseJournalofLiquidCrystalsandDisplays Dec ，2000 文章编 号2000)04—0273—05 阳极氧化条件对多孔硅冷 阴极场发射特性 的影响 T 弓3、l (1．镇 高等 争科毕枝 ．r苏 镇} 212003 2 巾吲科 毕院 陆春光毕精密札械 物 昕究所 ，占林 丘彝 l3002】) 摘 要：研究 r多孔 的制备条件埘多孔 E‘冷阴极场发射特性的影响，实验表明多孔砘的制 备条件 如电解 电拢密度、电解叶 等对多孔 E玲阴极的场发射特性有较 大的影响。 关 键 词 阳极氧化 场发射 ；毒孔 冷阴搬l 中国分类号 TN 383．1 文献标识码 ：A 1 引 言 平面薄膜多扎硅制备冷阴极具有工艺简单、发射稳定等特点叫，可以在场发 目． 乐 技术中获得应用 ，引起了许 多研究者的注意。X．ShenR等人 对多4L@冷阴极的砌发 射特性做 l，许多研究，并改善 了多扎硅 的场发射特性 。T．Komoda等人：利用多扎 制 作 丁彩色场发射显示器件 。本文上要研究了多孔硅的制备条件对场发射特性的影响，以 期研究多扎硅冷阴极 的最佳制备条件 。 实 验 多扎硅是采用硅的阳极氧化方法制备的。我们选用 电阻率为 8～1on ·cm、单面抛 光 、大 小为 1cm ×1．5cm的 品硅 片为 阳极 ，Pt为阴极 ，在直 流 电的条件下将 片 极 __[==_———] 极高压 极驱动 电压 幽 1 场 筻时特悄：圳l试线路 图 Fig．1 Measurementcircuitoffieldemissionperformances 收着 日期：2000—10-17 修订 日期 ：2000—1-030 基盒项 目：删家 自然科学蓐 资助 维普资讯 液 晶 与 最 在 HF ：c。HOH不 同俸积 比的溶液中进行 电化学阳极氧化 。氧化过程 中用 500W 钨灯 照射硅片表面 ，距离约为 20cm。在不同的电流密度和 电解时_日J条件下对硅片进行 阳极氧 化 电解结束后 ，取 出硅片干燥 ，这样在硅片表面就形成不 同多扎率和不 同厚度 的多孔 硅层 。将多扎硅放入氧化炉中在干氧气氛下进行热处理约 45min，温度为 950C。最后在 多孔硅表面蒸发一层约 IOnm厚的Au膜作 电极，并在Nz气氛430C下快速退火。场发 射特性测试是在超高真空 中进行的，j91I试线路如图 1所示 3 结果与讨论 多扎硅的制备条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响生要表现在对场发射阈值 电压 和发射效率方面。本文上要研究电解 电流密度 (J)、电解时间 (多扎硅厚度 d)等对多孔 硅冷阴极的场发射阈值 电压 (V )及发射效率 (，／／)的影响 。 (1)电解 电流对场发射阈值 电场的影响 削2给 出 厂不同电解 电流密度 l，和多孔硅冷阴极场发射阔值 电场 的关系。从 中可以看出电解 电流密度对场发射阈值有影响，在低 电流密度条件下制备的多扎硅兵