半导体材料（张源涛）5-3、5-4.pdfVIP

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2017-07-13 发布于浙江
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第 5 章硅外延生长第 5 章硅外延生长吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料第5章硅外延生长第5章硅外延生长 5-1、外延生长概述 5-2、硅的气相外延生长 5-3、硅外延层电阻率的控制 5-4、硅外延层的缺陷 5-5、硅的异质外延吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 5-3 硅外延层电阻率的控制 5-3-1 外延层中的杂质及掺杂 5-3-2 外延层中杂质的再分布 5-3-3 外延层生长中的自掺杂 5-3-4 外延层的夹层吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 1.外延层中的杂质外延层中杂质来源很多，总的载流子浓度N总可以表示为：N总＝N衬底 ±N扩散±N邻片±N基座±N系统±N气 N衬底：衬底挥发的杂质掺入外延层中的杂质浓度分量 N扩散：衬底中杂质经固相扩散进入外延层的杂质浓度分量 N邻片：外延层中来自相邻衬底的杂质浓度分量 N基座：来自基座的杂质浓度分量 N系统：除上述因素外整个生长系统引入的杂质浓度分量 N气：外延层中来自混合气体的杂质浓度分量杂质类型与衬底相同取“+” ，相反取“-” 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 N总＝N衬底 ±N扩散±N邻片±N基座±N系统±N气 I. 衬底对外延层掺杂的影响 N 与气相自掺杂N 固态扩散扩散衬底 II. 来自衬底以外的其他因素的自掺杂基座、反应室、系统的污染反应室的记忆效应 III. 来自混合气体的气相掺杂 2.外延生长的掺杂（主动掺杂）外延N型掺杂剂：PCl ，AsCl ，SbCl ，AsH 3 3 3 3 P型掺杂剂：BCl ，BBr ，B H 3 3 2 6 卤化物掺杂剂：稀释在反应气体中氢化物掺杂剂：稀释在氢气中通过调节流量来调整外延层的电阻率吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院