集成电路设计基础（尹盛）05 Mos2.pptVIP

2－4 非饱和和自举MOS倒相器 一、非饱和E/EMOS倒相器： 二、自举MOS倒相器： 克服非饱和用两个电源的缺点 1、自举原理： 比普通反相器增加了预充电管TB和自举电容Cb 2、寄生电容的影响 3、泄漏电流的影响 2－5 E/D MOS的倒相器 一、静态特性 ①输出特性 ②传输特性 E/D MOS的倒相器静态特性的特点： a、VOH＝VDD，无损失 b、基本上是无比电路，通过调节VTD可使VOL↓，可减小面积 c、噪容大 d、负载管具有恒流特性，速度较快 二、瞬态特性 下降时间的分析方法和E/E倒相器类似。忽略放电过程中同时出现的充电电流，这样处理很粗糙，好在下降时间和上升时间相比要短得多 这里我们主要讨论上升时间： VO从0.1VDD→0.9VDD所需的时间：tr TD上的电压为VDD-V0，随着V0的上升而下降 TD从饱和状态（tr1）到非饱和状态（tr2），故tr要分成tr1和tr2两部分 三、速度功耗乘积 平均延时： 平均静态功耗： 优值： 2－6 静态MOS电路 一、E/E MOS门电路 1、与非门： 2、或非门 3、与或非门 4、异或门 5、驱动门 虽然MOS IC是“压控”器件，无拉电流、灌电流，但扇出系数仍受到后级输入电容的限制。电容过大会使上升时间加长，何况有时还要求带一定的直流负载。当然可以加大管子尺寸来提高开关速度，增大驱动能力。但这样功耗又增加了，并占用了更多的管芯面积。所以，驱动门得到了广泛的应用。（又称为推挽电路或图腾电路） 驱动门的基本想法是设法使反相器中的两个管子（上拉元件和下拉元件）交替导通，以减小直流功耗。由于是交替导通，就可按无比电路设计，独立确定两个元件的尺寸，这样就可能比单个反相器更节省面积。为了实现交替导通，必须向它提供一对互补信号，所以推挽电路都由二级组成，第一级提供互补信号，第二级构成无比电路作为输出级。 6、自举推挽电路 把推挽电路中的普通倒相器改成自举倒相器，就构成了自举推挽电路 7、三态输出电路 在数字系统中，有的地方要求驱动器在不传输数据时处于悬空状态，输出端与电源和地都处于断开状态，对与它相连的其他部件的数据状态不发生影响，这时需用到三态输出电路。 二、E／D MOS门电路 1、与非门、或非门、与或非门和E／E MOS门电路相似，例如与非门： 2、E／D MOS驱动门 与E／E电路形式相似，但有一些问题： 三、触发器电路 1、E／E MOS触发器 ①基本RS触发器－ 用或非门组成： 2、同步RS触发器 用与或非门组成 3、E／D MOS触发器 ①把负载管变成DMOS即可 ②为了防止空翻，可使用主从RS触发器 CP控制主触发器，CP控制从触发器。主触发器的Q’和Q’分别成为从触发器的S’和R’，Rd为直接复位键 * 饱和E／E倒相器有两个缺点： 1、VOH＝VDD－VT 2、充电时间曲线拖一尾巴，速度慢 TL非饱和： VDSLVGSL－VTL VDD－VOVGG－VO－VTL ∴VGGVDD＋VTL ● VGG VDD TL TI Vi Vo 优点：1、VOH＝VDD，无损失 2、输出高电平时TL的导通电阻小，充电电流大，速度↑，虽多用一个电源，但性能大有改善 VDD TL TI Vi Vo ● ● TB D S G Cb CL ● VDD TL TI Vi Vo ● ● TB Cb CL TB的源区与衬底间的p-n结电容加TL的栅与衬底间的寄生电容C1 TB的栅源区迭交电容C2 TL的栅源迭交电容C3等 它们用一个对地电容Cs等效 Cb是在TL的栅源之间做的一个MOS电