集成电路设计基础（尹盛）06 Mos3.pptVIP

Chapter3 CMOS IC 有比反相器的弱点： 1、直流功耗大：当Vi＝VOH时，TL和TI同时导通，功耗大 2、两个元件相互依赖：要使VOL↓， βR要足够大，两个元件不能独立选取 3、输出波形上升沿和下降沿很不对称 前面讲驱动门时提到了使两个元件交替导通，CMOS也是基于这种想法，两个元件交替导通就可解决以上三个弱点。（C是互补的意思） 3－1 CMOS倒相器 一、工作原理： CMOS倒相器由一对互补的MOSFET组成，P管和N管互补对称。 二、直流传输特性 电流方程： 画出电压传输曲线并分区,分区线是Vi-VTN=VO, Vi-VTP=VO, Vi=VTN, Vi=VDD+VTP，分成5个区 三、噪容 四、瞬态特性 五、功耗特性 反相器的功耗由三部分组成： 静态功耗Pc＋瞬态功耗P动＋交变功耗Pt 1、静态功耗Pc： CMOS倒相器静态时总有一个管子导通，另一个截止，故Pc极低，它由电路中所有Pn结漏电流和表面漏电流形成。主要与三个因素有关： ①集成度↑ 寄生二极管多 Pc↑ ②芯片面积↑ 寄生二极管的结面积↑ I漏↑ Pc↑ ③温度↑ I漏↑ Pc↑ 2、瞬态功耗P动： 3、交变功耗Pt * VDD ● ● ● ● Vi G D VO VGSP VDSP VDSN VGSN Ip IN S S 两个栅级作输入端 两个漏极 出 Vi＝“1” TN导通 Tp截止 Vo＝“0” Vo＝“0” Tp导通 TN截止 Vo＝“1” 总有一个管子截止，静态功耗小 P管 N管 VDD ● ● ● ● Vi G D VO VGSP VDSP VGSN Ip IN S S P管 N管 Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ VDD VO 0 Tp非 TN截 Tp 饱 TN 饱 TN非 TP截 Vi－VTN＝VO Vi－VTP＝VO VTN V* VDD＋VTP VDD Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Vi 静态时I=0，状态转换时有电流脉冲通过 Ⅰ区：VO≈ VDD，TN管截止 Ⅱ区：TN饱和，TP非饱和 1＝4 Ⅲ区：均饱和 1＝3 Ⅳ区：TN非饱和，TP饱和 2＝3 Ⅴ区：TP截止 VO ≈0 VO 0 V* Vi VNMLM VNMHM Vi=VO 1、指定噪容:根据使用和电路工作要求预先给出临界高低电平 2、最大噪容：VNMHM=VOH－V? VNMLM=V?－VOL 3、最佳噪容v ?=1/2 判断传输特性好坏的标准： 1、逻辑摆幅大 2、状态转换区陡，垂直 3、噪容大 50％ 导通延迟时间 50％ tPHL 90％ 50％ 10％ tf 下降时间 截止延迟时间 tPLH tr 上升时间 90％ 50％ 10％ VDD ● ● Ip In ● ● Vo Ic CL Vi 动态功耗：输入为连续脉冲时 前面讲nMOS的功耗时，由于其静态功耗大，故把动态功耗忽略不计。而对于CMOS，其静态功耗很小，所以要重点考虑动态功耗。 当反相器输入为理想阶跃波时，对负载电容和寄生电容充放电所消耗的功耗称为瞬态功耗 VDD ● ● Ip In ● ● Vo Ic CL Vi t t t Vi IicI Ip IN Ip IN 充 放 充 放 输入为非理想阶跃波时，在反相器处于输入波形上升沿或下降沿的瞬间，负载管和驱动管会同时导通，由此引起的功耗称为交变功耗。 如对CMOS倒相器输入一非阶跃信号： 当VTNViVDD＋VTP时，TP、TN同时导通，这是有一股电流I’从电源通过TP、TN流