集成电路设计基础（尹盛）10 Mos7.pptVIP

5-6 VLSI设计过程简介 IC设计是根据电路指标，首先设计出在集成电路工艺中可以实现的电路，再根据有关的设计规则，将电路图转变成一张硅平面工艺的复合图，即总版图，进而制出一套硅表面上各道工序的光刻掩膜版。利用这套掩膜版，按一定的工艺流程进行生产，就可以做出符合原设计指标的集成电路。 IC设计的目标是设计出用最低成本就可实现预定指标的IC，这就要求设计者具有线路、工艺、设计甚至经济管理方面的知识。 Intel Pentium (IV) microprocessor 5-7 人工版图设计的一般过程 人工设计对EDA来说，仍是最基本的，特别是需要人工干预时有重要的参考价值。 一、准备工作 1、深刻理解电路参数和电路结构。要了解： A：各个元件在电路中的各种工作状态 B：元件的参数对元件状态的影响，进而对电路指标的影响 C：元间的图形，横向及纵向尺寸对元件参数的影响 D：元件间的相互影响 这样才能设计出好的版图，才能根据试生产的结果，找到调整版图的途径。 2、了解工艺特点及工艺水平： 版图设计以能在特定的生产线实现作为最起码的条件。一个好的设计，应可发挥出生产线的最大潜力，不仅能能够达到电路的参数指标，而且要有较高的成品率，使成本降低。所以，电路设计时就要求根据工艺确定电路结构及选用的元件。版图设计是更要把工艺水平作为设计的基础。 二、人工版图设计的一般过程：  大致可分为逻辑级、门级、晶体管级、版图级4个步骤。 逻辑级 门级 晶体管级 版图级 例子： Design a single bit full adder (FA) using 0.8 um CMOS Technology. Spec.: Td 1.2 ns Tr, Tf 1.2 ns Area 1500 um2 Pd 1mA @5V, 20MHz 三、从晶体管级到版图级的步骤 1、在明确了电路指标的情况下，估算出对各元件的要求 例如，一般电路设计只给出MOS管的宽长比，L越小，跨导越大，饱和漏电流越大，输入电容越小，速度越快，还可提高集成度。但L受漏源穿通电压BVDSP的限制： 2、根据生产线的情况确定版图设计的基本尺寸和设计规则，代工时由代工厂提供。 基本尺寸有： 1）掩模图形最小线宽（尺寸）：主要由光刻水平决定，决定了版图中最小图形的宽度 2）掩模图形最小间距：指在保证较高成品率的基础上，相邻图形间所需要的最小间距。 最小间距主要由下列因素决定： A：掩膜对准容差△XMAT：指设计的图形位置和实现后图形位置之间的统计平均误差 △XMAT分为一次对准容差△XMAT1和二次对准容差△XMAT2 B：横向扩散0.8Xj ：结深的80％ C：耗尽层宽度Wd：与工作电压，衬底的电阻率及掺杂浓度有关 D：最坏情况下的最小间距Gmin：额外加上的，一方面是“保险系数“，一方面也包含了其他没有考虑的因素 设计规则 IC设计与工艺制备之间的接口 制定目的：使芯片尺寸在尽可能小的前提下，避免线条宽度的偏差和不同层版套准偏差可能带来的问题，尽可能地提高电路制备的成品率 什么是设计规则？考虑器件在正常工作的条件下，根据实际工艺水平(包括光刻特性、刻蚀能力、对准容差等)和成品率要求，给出的一组同一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制，主要包括线宽、间距、覆盖、露头、凹口、面积等规则，分别给出它们的最小值，以防止掩膜图形的断裂、连接和一些不良物理效应的出现。 我们总是希望基本尺寸越小越好，只有这样，在相同的芯片面积上，才能集成更多的元件，或者说单元电路所占的面积将减小，这样成品率将提高。但有时为了保证成品率，也会将基本尺寸放大一点。 3、设计电路中各元件的初步图形和尺寸 设计完后用电脑或人工进行核算，检验初步设计的元件是否满足电路指标的要求。对MOS管主要核算漏源击穿电压、最高工作频率等；对电阻主要是阻值及误差范围；对电容主要是容量及击穿电压。核算的依据是使用条件（电流、电压）及工艺参数（如杂质分布、外延层的厚度、阈值电压、结深、薄层电阻、氧化层厚度等）。 4、排版与布线： 主要是确定芯片上元件的相互位置及引线孔的位置，使元件间实现无交叉互连。随着集成度的提高，互连线越来越复杂，往往需要多次反复才能完成。基