集成电路工艺技术（康博南）第三章 扩散.pdfVIP

JILIN UNIVERSITY 第二篇 单项工艺1：热处理和离子注入 第三章 扩散 Diffusion 集成电路工艺 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY JILIN UNIVERSITY 扩散是自然界最普遍的物理现象 材料中元素分布的不均勻会导致扩散行为的进行，使 得元素由浓度高处往浓度低处移动 SiO2可以作为扩散掩蔽材料 扩散被广泛用作半导体掺杂工艺 固体中原子的移动必须打断及重組其相邻的键的结构 在结晶缺陷的帮助下使得扩散比较容易进行 集成电路工艺 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY JILIN UNIVERSITY 掺杂 （doping ）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅 中，并获得精确的杂质分布形状 （doping profile ）。 NMOS BJT B E C n+ n+ p p+ n- p+ n+ p well p 集成电路工艺 MOSFET ：阱、栅、源/漏、沟道等 掺杂应用： INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY BJT ：基极、发射极、集电极等 JILIN UNIVERSITY 杂质分布形状 集成电路工艺 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY JILIN UNIVERSITY 集成电路工艺 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY JILIN UNIVERSITY 集成电路工艺 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY JILIN UNIVERSITY 集成电路工艺 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY 液态源扩散系统示意图 JILIN UNIVERSITY 集成电路工艺