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氧化部分习题
根据Deal Grove Model，当氧化温度介于700摄氏度到1300摄氏度，炉膛压力为0.2Bar到1Bar之间，氧化厚度介于30nm到2000nm之间的湿法氧化和干法氧化，其氧化厚度与时间的关系如下：
d0+Ad0=B(t+() (1.1)
求解可得氧化层厚度和时间的关系：
(1.2)
时间和氧化层厚度的关系是
（1.3）
当氧化时间较短，满足：t+ (﹤﹤A2/4B时，有
d0≈（B/A)(t +()，即氧化层厚度与时间成线性关系，故B/A称为线性速率常数；如果满足：
t﹥﹥(＋t﹥﹥A2/4B，则有d0 ≈Bt，即氧化层厚度与时间成抛物线关系，故B称为抛物线速率常数。 线性速率常数B/A和抛物线速率常数B的计算公式分别为：
湿法氧化：
线性速率常数： (1.4a）
抛物线速率常数为 (1.4b)
干法氧化：
(1.5a)
(1.5b)
其中k为常数，大小为k=8.617×10－5eV/K, K为绝对温度，计算的时候注意要把摄氏温度换算成绝对温度，即TK＝TC+273.15。
例题1、计算在1150摄氏度时，在（100）硅片上干法生长1.2微米的氧化硅所需的时间。
解题如下：
根据公式（1.5）,1150度下干法氧化的线性速率常数为：
＝0.5930496微米/小时
抛物线速率常数为：
＝0米2/小时
根据公式(1.3)，可以计算干法氧化1.2微米所需的时间是：
小时
例题2、在1100摄氏度下，在（100）硅片上先进行30分钟干法氧化，再进行30分钟湿法氧化，求最终得到的氧化层厚度是多少？
根据公式(1.5)，1100度下干法氧化的线性速率常数为：
＝0.327微米/小时
抛物线速率常数为：
＝0.024微米/小时
根据公式(1.1)，1100度下湿法氧化的线性速率常数为：
＝4.77微米/小时
抛物线速率常数为：
＝0.466微米2/小时
第一步干法氧化时，根据公式(1.2)，得到干法氧化的厚度为：
＝0.079微米
第二步湿法氧化时，必须计算(代表经过干法氧化后已经存在的0.079微米的氧化层，但是，我们要注意，(不是干法氧化的时间0.5小时，而是必须折算成湿法氧化0.079微米氧化层所需的时间：
根据公式（1.3），有：
根据公式（1.2）得到湿法氧化30分钟后氧化层的厚度为：
＝0.45微米
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