集成电路工艺原理作业（大四上）-复习笔记.pdfVIP

集成电路工艺作业 第一章 半导体衬底 1、列举生产半导体级硅的三个步骤，给出反应方程式。说明半导体级硅有多纯？ *含硅的三氯硅烷气体经过再一次化学过程并用氢气还原制备出纯度 为99.9999999%的半导体级硅。 2、为什么要用单晶进行硅片制造？ 这是因为器件的许多电学和机械性质都与它的原子级结构有关。这就 要求原子具有重复性结构，从而使得芯片与芯片之间的性能具有重复 性。 3、CZ 单晶生长法定义 Czochralski(CZ)－查克洛斯基法生长单晶硅，把熔化了的半导体级硅液体变为 有正确晶向并且被掺杂成 n 型或 p 型的固体硅锭。85％以上的单晶硅是采用 CZ 法生长出来的。 CZ 法特点： a. 低功率IC 的主要原料。 b. 占有～80％的市场。 c. 制备成本较低。 d. 硅片含氧量高。 4、影响 CZ法直拉工艺的两个主要参数是什么？ 拉伸速率和晶体旋转速率。 5、区熔法的特点是什么？ a. 硅片含氧量低、纯度高。 b. 主要用于高功率 IC。 c. 制备成本比 CZ 法低。 d. 难生长大直径硅晶棒。 e. 低阻值硅晶棒掺杂均匀度较差。 7、使用更大直径硅片的主要原因是什么？ 300mm 硅片比 200mm 硅片面积大 2.25 倍，这样就会在一块硅片上生产更多的芯 片。每块芯片加工和处理时间都减少了，设备生产效率提高了。使用 300mm 直 径的硅片可以把每块芯片的成本减少 30％。节省成本是驱使半导体业转向使用 更大直径硅片的主要原因。 8、硅中的晶体缺陷：点缺陷、位错、层错。 第二章 氧化 1、半导体器件生产中使用的介质材料有二氧化硅、氮化硅、多晶硅、硅化物。 2、二氧化硅的基本性质有哪些？ a、可以方便地利用光刻和刻蚀实现图形转移 b、可以作为多数杂质掺杂的掩蔽 c、优秀的绝缘性能 d、很高的击穿电场 (107 V/cm) e、体电学性能稳定、f、稳定、可重复制造的 Si/ SiO2 界面 3、金属层间绝缘阻挡层目的：用于金属连线间的保护层。 4、热生长 SiO2 的各种运用对厚度有不同要求 栅氧（0.18μm 工艺）：20-60 埃；STI 隔离氧化物：150 埃；场氧：2500-15000 埃 5、有几种类型的电荷存在于氧化层内部或在 SiO2 和 Si/SiO2 界面附近？ a)界面陷阱电荷; b)固定氧化层电荷; c)移动离子电荷; d)大量氧化层陷阱电 荷 6、干氧和湿氧氧化反应方程式及氧化层的特点？ 干氧生长的氧 化膜表面干燥、结构致密，表面是非极性的硅烷 （Si—O—Si ） 结构，光刻时与光刻胶接触良 好、不易产生浮胶，但氧化速率极慢，这是由于 O2 在 SiO2 中扩散系数通常小于 H2 O 在 SiO2 中的扩散系数。 湿氧氧化方式制备的氧化层特点是：结构疏松，但是氧化速度快，质量不如干氧 氧 化的好，特别是氧化层表面是极性的硅烷 醇，它她极易吸附水，所以与光刻 胶的粘 附性差。同时，湿氧氧化后的 Si 片表面存在较多的位错和腐蚀坑。 这两种反应都在 700 ºC～1200 ºC 之间进行，湿氧氧化比干氧氧化反应速率约 高 10 倍。在实际工艺应用中，对于 SiO 膜厚度需要几千 Å 以上的情况，一般采 2 用干氧+湿氧+干氧的方式，既保证了所需的厚度，又改善了表面的完整性和解决 了光刻时的浮胶问题。 7、1 m 厚 SiO 消耗 0.46 m Si 2 8、Deal－Grove 迪尔－格罗夫模型适用于： 氧化温度 700～1200 度； 局部压强 0.1～25 个大气压； 氧化层厚度为