集成电路工艺技术（康博南）集成电路工艺第十章：工艺集成－2.pdfVIP

第十章：工艺集成 Process Integration 1. 结构及质量：热生长的比沉积的结构致密， 质量 好。 2. 成膜温度：热生长的比沉积的温度高。可在400℃获得 沉积氧化层，在第一层金属布线形成完进行，做为金属之 间的层间介质和顶层钝化层。3. 硅消耗：热生长的消耗 硅，沉积的不消耗硅。 当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时 就发生了沟道效应。 1. 倾斜硅片：常用方法。 2. 缓冲氧化层：离子通过氧化层后，方向随机。 3. 硅预非晶化：增加Si+注入，低能量（1KEV）浅注入 应用非常有效。 4. 使用质量较大的原子。 §10.1 引 言 • 工艺集成 前面第二～九章分别介绍了氧化、扩散、 离子注入、光刻、刻蚀、CVD 以及化学机 械抛光，这些都是单项工艺，这些单项工 艺的组合称为工艺集成。 • 不同的单项工艺集成或单项工艺组合形成 了各种集成电路制造技术。 • 本章介绍两种集成电路制造技术 1. 早期基本的3.0 μm CMOS集成电路工艺技术 2. 现代先进的0.18 μm CMOS集成电路工艺技术 • 硅片制造厂的分区 硅片制造厂分成6个独立的生产区：扩散 （包括氧化、LPCVD、热掺杂等高温工 艺）、光刻、刻蚀、薄膜（包括PCVD、 PECVD 、溅射等）、离子注入和抛光 （CMP）。 • 硅片制造厂的分区 亚微米CMOS IC 制造厂典型的硅片流程模型 §10.2早期3.0 μm CMOS集成电路工艺技术 7大工艺步骤： 1. 双阱工艺 2. LOCOS隔离工艺 3. 多晶硅栅结构工艺 4. 源/漏（S/D ）注入工艺 5. 金属互连的形成 6. 制作压点及合金 7. 参数测试 §10.2 早期基本的3.0 μm CMOS集成电路工艺技术 ■ 工艺流程： 1. 双阱工艺 备片→初氧氧化→光刻N阱区→N阱磷注入→刻蚀初氧层→光 刻P阱区→P阱硼注入→阱推进 2. LOCOS隔离工艺 垫氧氧化→氮化硅沉积→光刻有源区→光刻NMOS管场区→N MOS管场区硼注入→场区选择氧化 3. 多晶硅栅结构工艺 去除氮化硅→栅氧化→多晶硅沉积→多晶掺磷→光刻多晶硅 • 工艺流程（续）： 4. 源/漏（S/D ）注入工艺 光刻NMOS管源漏区→NMOS管源漏区磷注入 →光刻PMOS管源漏区→PMOS管源漏硼注入 5. 金属互连的形成 BPSG沉积→回流/增密→光刻接触孔→溅射Si-Al-Cu→光刻 金属互连 6. 制作压点及合金 钝化→光刻压焊窗口→合金 7. 参数测试 1. 双阱（Twin Well）工艺 1. 双阱（Twin Well）工艺 备片：P型硅单晶、单面抛光片、晶向＜100＞、 电阻率~20 Ω.cm、φ100mm、片厚525 μm 初氧氧化： 工艺目的：制作阱注入的缓冲层 工艺方法：干氧氧化 工艺要求：厚度100nm左右 1. 双阱工艺 1. 双阱工艺 光刻 N阱区 工艺目的：定义PMOS管的N阱区域 工艺方法：光刻7步骤（HMDS气相成底膜、涂 胶、 软烘、对准曝光、显影、坚膜、检查） 工艺要求：边缘整齐、无针孔、无小岛 N阱磷注入 注入能量：120KEV ；注入剂量：2.0E13 1. 双阱工艺 1. 双阱工艺 刻蚀初氧层：湿法腐蚀、湿法去胶 光刻P阱区：同N阱光刻 P阱区硼注入：能量：100KEV ；剂量：3.0E13 1. 双阱工艺 1. 双阱工艺 阱推进 工艺目的：形成符合要求的阱杂质浓度分布 工艺方法：高温（N2＋O2）气