集成电路工艺技术（康博南）第四章 离子注入.pdfVIP

JILIN UNIVERSITY 第四章 离子注入 Ion Implantation 集成电路工艺 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY 课程内容 JILIN UNIVERSITY §4.1 前言（离子注入概念及优缺点） §4.2 离子注入系统 §4.3 注入离子在半导体中的射程分布 §4.4 离子注入损伤及其退火处理 §4.5 离子注入在集成电路中的应用 集成电路工艺 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY 第四章 要点内容 JILIN UNIVERSITY １、离子注入的主要特点 ２、LSS理论，阻止机制的含义 ３、离子注入的杂质分布？ ４、退火后的杂质分布？ ５、掩蔽膜的厚度 集成电路工艺 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY §５.1 前言 JILIN UNIVERSITY 什么是离子注入 离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的 表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质 离子注入的基本过程 将某种元素的原子或携 带该元素的分子经离化 变成带电的离子 在强电场中加速，获得 较高的动能后，射入材 料表层（靶） 以改变这种材料表层的 集成电路工艺 物理或化学性质 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY 离子注入工艺相比扩散工艺具有以下优点： JILIN UNIVERSITY 1、可以在较低的温度下，将各种杂质掺入不同的半导体 中。 2 、能精确地控制掺入硅片内部杂质的浓度分布和注入深 度。 3、可以实现大面积的均匀掺杂，而且重复性好。 4、掺入杂质纯度高。 5、由于注入杂质的直射性，杂质的横向扩散小。 6、可以得到理想的杂质分布。 7、工艺条件容易控制。 集成电路工艺 8 、没有固溶度极限。注入杂质含量不受硅片固溶度限 制。 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY 离子注入也有缺点： ①设备相对复杂、相对昂贵（尤其是超低能量离子注入 JILIN UNIVERSITY 机）。 ②其最大的缺点就是用高能离子轰击硅片时，会导致晶体 的晶格破化，从而造成损伤，必须经过加温退火工艺以后 才能恢复晶格的完整性。 ③为了使注入杂质起到所需的施主或受主作用，也必须有 一个加温激活过程。这两种作用结合在一起，称为离子注 入退火。 ④有不安全因素，如高压、有毒气体 总的来说，离子注入工艺由于其不可比拟的优势，目 集成电路工艺 前已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的、最主要的 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY 掺杂工艺。