集成电路工艺技术（康博南）第九章 金属化作业.docVIP

第九章 金属化作业 1、解释下列名称：互连、接触、通孔和填充塞。《半导体制造技术》p277 2、哪种金属已经成为传统的互连金属线？什么是它的取代物？《半导体制造技术》p278第二段 4、什么是欧姆接触？它的优点是什么？《半导体制造技术》p281第四段 优点是接触电阻小。 5、为什么选择铝作为芯片的互连金属？《半导体制造技术》p281第二段 6、讨论电迁徙是怎样影响稳定性的。《半导体制造技术》p282第三段 8、用铜作为半导体金属所面临的三大主要挑战是什么？《半导体制造技术》p284 11、什么是电迁徙？如何防止Al电迁徙产生？ 在较高的电流密度作用下，互连引线中的金属原子将会沿着电子运动方向进行迁移，这种现象就是电迁徙。本质是导体原子与通过该导体的电流相互作用，对于铝就是铝原子沿着晶粒间界的扩散。 改进电迁徙的方法一：采用梳状电极，组成多晶硅的晶粒从下而上贯穿引线截面，晶粒间界垂直电流方向，所以晶粒间界的扩散不起作用，铝原子在铝薄膜中的扩散系数和单晶体相似，从而可使抗电迁徙能力提高二个数量级。 改进电迁徙的方法二：采用铝－铜合金和铝－硅－铜合金，Al-Si(1%~2%)-Cu(4%)，杂质在铝晶粒晶界分凝，可以降低铝原子在铝晶界的扩散系数，从而可使抗电迁徙能力提高一个数量级。 改进电迁徙的方法三：采用三层夹心结构，可以在两次铝之间增加大约50nm厚的过度金属层。这三层金属通过400度退火1小时后，在两层铝之间形成金属化合物，可以防止空洞穿越整个金属引线，也可以降低铝在晶粒间界的扩散系数，从而可使抗电迁徙能力提高二到三个数量级。 12、什么叫做polycide和Salicide结构及工艺？他们的优点是什么？如何实现？ 答：Polycide一般是由silicide和polysi组成的多晶硅化物。 优点在于：低的电阻，热稳定性好，好的化学稳定性，能与硅形成均匀一致的界面。 实现： (1).多晶硅的沉积和掺杂，PVD或者CVD沉积。 (2).金属硅化物沉积，PVD或者CVD沉积。 (3).热退火。 (4).栅掩模光刻 (5).RIE刻蚀 (6). S/D离子注入 Salicide（Self Aligned Silicide）是自对准硅化物的简称。 优点在于：1.自对准。2.s/d区寄生电阻大大减少3.栅层互联电阻减少，很好的界面，适合应用于短沟道器件。 实现过程： (1).自对准多晶硅生成，。 (2).绝缘介质沉积，RIE刻蚀形成侧墙。 (3).S/D区形成 (4).磁控溅镀一层金属在整个晶片的表面 (5).低温快速热退火，使淀积的金属膜与源漏极的硅和栅极的多晶硅反应，而形成金属硅化物 (6). 未参加反应的金属用湿法刻蚀加以去除。 (7).高温快速热退火，形成高电导的金属硅化区。