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集成电路工艺技术（康博南）第七章 化学气相沉积和介质薄膜.docVIP

集成电路工艺技术（康博南）第七章 化学气相沉积和介质薄膜.doc

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    第七章 化学气相沉积和介质薄膜（CVD）作业 1、化学气相淀积定义： 指使一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。其英文原名为 “Chemical Vapour Deposition”，简称为 “CVD”。 5、CVD反应中低压会带来什么好处？《半导体制造技术》p249 6、PSG、BPSG、FSG各是什么的缩写? 《半导体制造技术》p249－250 8、CVD过程中采用等离子体的优点有哪些？《半导体制造技术》p256～257 9、沉积多晶硅采用什么CVD工具？写出掺杂的Poly－Si做栅电极的六个原因。 沉积多晶硅采用LPCVD，即低压CVD工艺。 (1). 通过掺杂可得到特定的电阻 (2). 与SiO2有优良的界面特性 (3). 和后续高温工艺的兼容性 (4). 比金属电极（如Al）更高的可靠性 (5). 在陡峭的结构上沉积的均匀性 (6). 实现栅的自对准工艺

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