集成电路工艺技术（康博南）第二章 氧化.pdfVIP

JILIN UNIVERSITY 第二篇 单项工艺1：热处理和离子注入 第二章 热氧化 Thermal Oxidation 集成电路工艺 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY 本章内容 JILIN UNIVERSITY 1、SiO 的基本性质 2 ２、SiO的结构 2 ３、SiO的用途 2 ４、氧化方式－干氧与湿氧 ５、迪尔－格罗夫模型 集成电路工艺 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY 硅工艺中的一系列重要硅基材料 JILIN UNIVERSITY SiO ：绝缘栅/绝缘/介质材料； 2 Si N ：介质材料，用作钝化/掩蔽等； 3 4 多晶硅：可以掺杂，导电； 硅化物：导电，作为接触和互连…… 集成电路工艺 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY JILIN UNIVERSITY TEM照片—单晶硅表面热氧化所得二氧化硅薄膜。 TEM是透射电子 显微镜，简称透射电镜，是把经加速和聚集的电子束投射到非常薄 的样品上，电子与样品中的原子碰撞而改变方向，从而产生立体角 集成电路工艺 散射。散射角的大小与样品的密度、厚度相关，因此可以形成明暗 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY 不同的影像。 SiO 的基本性质 2 JILIN UNIVERSITY 通常热氧化生长的SiO 是非晶的 2  熔点：1700 C  重量密度：2.27 g/cm3 原子密度：2.2×1022 分子/cm3  折射率 (refractive index) n=1.46  介电常数 (dielectric constant) ＝3.9 集成电路工艺 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY JILIN UNIVERSITY 集成电路工艺 INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY SiO 的基本性质 2 JILIN UNIVERSITY 可以方便地利用光刻和刻蚀实现图形转移  可以作为多数杂质掺杂的掩蔽 (B, P, As, Sb)  优秀的绝缘性能 ( 1016 cm, E 9 eV)