集成电路工艺技术（康博南）第九章　金属化工艺.pdfVIP

第九章 Metallization 金属化 金属化的几个术语 • 接触（contact）：指硅芯片内的器件与第一层金属层之 间在硅表面的连接 • 互连（interconnect）：由导电材料，(如铝，多晶硅或 铜)制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分 • 通孔（via）：通过各种介质层从某一金属层到相邻的另 一金属层形成电通路的开口 • “填充薄膜”：是指用金属薄膜填充通孔，以便在两金属层 之间形成电连接。 • 层间介质（ILD:Inner Layer Dielectric ）：是绝缘材 料，它分离了金属之间的电连接。ILD一旦被淀积，便被 光刻刻蚀成图形，以便为各金属层之间形成通路。用金属 （通常是钨W）填充通孔，形成通孔填充薄膜。 芯片互连的金属和金属合金 １. 导电率：高导电率传导高电流密度。 ２. 粘附性：能粘附下层衬底，容易与外电路实现电连 接。与半导体和金属表面欧姆接触。 ３. 淀积：易于淀积，经过相对的低温处理后具有均匀的 结构和组分。 ４. 刻印图形/平坦化 ５. 可靠性： ６. 抗腐蚀性： ７. 应力： Metallization • Definition • Applications • PVD vs. CVD • Methods • Vacuum • Metals • Processes • Future Trends Metallization • Processes that deposit metal thin film on wafer surface. 在绝缘介质薄膜上淀积金属以及随后将其刻蚀成图形以便形成互联 金属线和集成电路通孔或过孔，将有源元件按设计要求联接起来形 成一个完整的电路和系统，提供与外电源相连接的接点。 互联和金属化不仅占去了相当的芯片面积，而且往往是限制集成电 路速度的主要原因。 VLSI集成度增加，互联电阻和寄生电容也会随之增加，降低了信号 的传播速度。 减少信号的传播延迟 铜替代铝减少电阻率 低k层间介质减少寄生电容 集成电路对金属化材料特性的要求 1、CMP工艺的优缺点都有哪些？ 2、在CMP工艺过程中，如何控制片与片之 间的工艺均匀性？ 3 、在超大规模集成电路金属化工艺过程 中，采用哪些工艺手段来减少信号的RC延 迟？ Global interconnect 顶层互联线 Contact stub Local interconnect Word line Diffusion Applications: Interconnection • Dominate the metallization processes • Al-Cu alloy is most commonly used • W plug, technology of 80s and 90s • Ti, welding layer • TiN, barrier, adhesion and ARC layers • The future : Cu 多晶硅的优点(Al的熔点为659℃) 多晶硅与随后的高温处理工艺有很好兼 容性 与Al栅相比，多晶硅与热生长的二氧化 硅的接 触性能更好。 在陡峭的台阶上淀积多晶硅时能获得很 好的保形性。 Conducting Thin Films • Polysilicon • Silicides • Aluminum alloy • Titanium • Titanium Nitride • Tungsten • Copper • Tantalum Polysilicon • Gates and local interconnections • Replaced aluminum since mid-1970s