V 掺杂ZnO 薄膜的室温铁磁性 - 河北师范大学学报.PDF

第34 卷/第3 期/ 河北师范大学学报/自然科学版/ Vol.34 No.3 2010 年5 月 JOURNALOFHEBEI NORMAL UNIVERSITY/Natural Science Edition/ May.2010 V 掺杂ZnO 薄膜的室温铁磁性 1 2 3 李　莉, 　赵瑞斌 , 　侯登录 (1.石家庄邮电职业技术学院 电信工 系, 河北石家庄　050031;2.河北医科大学 基础教学部, 河北石家庄　050011; 3.河北师范大学 物理科学与信息工 学院, 河北 石家庄　050016) 摘 要:采用磁控溅射法在Si 基底上制备了Zn V O 系列薄膜样品, X 射线衍射表明所有样品都具有纤锌 1-x x 矿结构, 没有发现其他的衍射峰存在.研究发现, c 轴晶格常数随着掺杂浓度的增加而增大.原子力显微镜测量表明 样品中的颗粒分布均匀, 没有发现团聚物.磁性测量表明, 直接沉积的样品具有顺磁性, 而经真空退火的所有样品 都具有明显的室温铁磁性, 且随着掺杂浓度的增加, 样品的饱和磁化强度增加. 关键词:射频磁控溅射;室温铁磁性;氧空位 + 中图分类号:O 482.52 3　　　文献标识码:A　　　文章编号:1000-5854(2010)03-0296-04 [1-5] ZnO 基稀磁半导体由于其可能具有较高的居里温度和饱和磁化强度引起了人们的研究兴趣 .一些 [1-3] [4] 报道认为过渡元素掺杂ZnO 具有室温铁磁性 , 另外一些报道认为过渡元素掺杂ZnO 具有自旋玻璃态 [5] 或具有顺磁性 .很明显, 过渡元素掺杂ZnO 是否具有铁磁性与制备方法有关.即使样品具有室温铁磁性, [6-7] 但就磁性起源而言, 仍然存在着很大的争议 . [ 8] Dietl 等 于2000 年由Zener 的理论预测, Mn 掺杂p-型ZnO 可以形成居里温度高于室温的稀磁性半导 [ 9] [10] 体, 同时Sato 等 计算出V, Cr, Fe, Co, Ni 掺杂的ZnO 铁磁态稳定.Sae i 等 利用PLD 制备了钒掺杂ZnO [ 11] 薄膜, 居里温度达350 K, 测量结果表明薄膜的磁性依赖于钒离子和载流子浓度.Behana 等 通过PLD 法 沉积了Zn V O 薄膜, 结果表明所有薄膜显示室温铁磁性, 并且发现随着载流子浓度的增加, 薄膜的磁矩 1-x x 增加. 尽管如上所述, 实验上已经制备出具有铁磁性的Zn1-x Vx O 材料, 但相对于其他过渡金属(如Mn, Co 等)来说, Zn V O 材料的相关报道较少, V 离子的饱和磁矩远低于理论值, 并且关于铁磁性的起源及产生 1-x x 机理, 还没有明确的结论.为了研究V 掺杂ZnO