我们是如何制造内存的.PDF

我们是如何制造内存的 想了解内存是如何制造出来的吗？以下是我们的幕后故事，看看我们如何采用严格的内存制造过 程以确保您得到的是质量上乘的产品。 第一部分：从硅到晶圆成品 内存芯片是集成电路与各种晶体管、电阻器和电容器的结合，任何一种芯片都离不开以上几种元 件。集成电路的原料是硅，通常从砂中提取。将硅转变为内存芯片是一个需要涉及工程、冶金、 化学和物理的精密提取过程。 内存通常是在叫做fab 的大型工厂内生产，其中包含许多洁净室环境。由于电路极小，即便很小 的灰尘也可能造成损坏，因此，半导体内存芯片需要在洁净室内进行生产。Micron 美光的博伊 西 (Boise) 主厂占地超过 180 万平方英尺，并且拥有 1 到 10 级洁净室。在 1 级洁净室内，每立 方英尺空气中所含的灰尘颗粒少于 1 颗。与之相比，一所干净的现代医院内每立方英尺空气中所 含灰尘颗粒约为 10000 个。洁净室内的空气需保持过滤和循环。生产小组的成员需穿戴特殊的帽 子、隔离服和口罩，以保证空气中不混入灰尘颗粒。 第 1 步：硅铸锭 将硅转为集成电路的第一步是生产纯净的单晶硅棒或硅铸锭，通常直径为 6 至 8 英寸。一旦成 型，则将硅铸锭切成纤薄光滑的晶圆片，其直径通常为 6 或 12 英寸，厚度小于 0.025 英寸。随 后将芯片的电路元件（晶体管、电阻器和电容器）置于硅晶圆片的分层结构中。构筑电路之前， 需先在计算机上对电路进行研发、模拟测试和完善。设计完成后，将制造玻璃光掩模——并为每 层电路准备一块光掩模。光掩模是带有小孔或透明体的不透光板，可以让光线以特定形状透过， 且这些光掩模在制造过程的下一步——光蚀刻中尤为关键。 第 2 步 ：光蚀刻 在无菌的洁净室环境中，晶圆片将经过多步光蚀刻程序的处理，电路每需要一块光掩模即重复一 次。光掩模可用于 (a) 确定用于构建集成电路的晶体管、电容器、电阻器或连接器的不同部件， 及 (b) 定义设备组装的各层电路图案。 生产阶段开始时，裸硅晶圆片由一层薄玻璃覆盖，再加盖一层氮化层。通过将硅晶圆片与氧气在 摄氏 900 度的环境下放置一小时或更长时间，形成玻璃层，具体时长取决于所需的玻璃覆盖层厚 度。当晶圆片内的硅与氧气接触时将形成玻璃（二氧化硅）。高温下，该化学反应（称为氧化作 用）以极快的速度发生。 第 3 步：光刻胶 接下来，晶圆片将被统一覆盖一层具有一定厚度的光敏液体，称为光刻胶。通过将紫外线光源和 晶圆片之间的光掩模对齐，选择晶圆片的暴露部分。光线将穿过该光掩模的透明区域，并将光刻 胶暴露在光线中。 暴露在紫外线中时，光刻胶将发生化学变化，从而让显影液将曝光的光刻胶去除，并在晶圆片上 留下未曝光的部分。电路每多一块光掩模，就需要多重复一次光刻法/光刻胶程序。 第 4 步：蚀刻 蚀刻流程中，将在晶圆片上放置湿酸或干离子气体，以去除不受硬化的光刻胶保护的氮化层部 分。该操作将在晶圆片上留下与所设计的光掩模形状一致的氮化图案。使用其他化学剂将硬化的 光刻胶去除（清除）后，便可以将数以百计的内存芯片以蚀刻的方式嵌入晶圆片上了。 第二部分：晶圆片成层与完成电路 在制造流程的第 I 部分中，所有电路元件（晶体管、电阻器和电容器）均在首次掩膜操作中完成 构建。接下来，通过生成一组分层，将这些元件连接起来。 第 5 步：铝成层 要开始连接电路元件，需先在晶圆片上覆盖一层玻璃绝缘层（被称为 BPSG ），并用接触式掩模 确定每个电路元件的接触点（或接触窗）。完成接触窗蚀刻后，整个晶圆片将在一个溅射室内镀 上一层薄薄的铝。对铝层加盖金属掩模时，将形成一个薄薄的金属连接或线路网络，构成电路的 路径。 第 6 步：钝化成层 整个晶圆片随后将覆盖一层玻璃和氮化硅以避免其在组装过程中受损。该保护层被称为钝化层。 随后则是最后的掩模和钝化蚀刻程序，从端子（也被称为焊盘）上去除钝化材料。将焊盘用于模 具至塑料或陶瓷封装上金属引脚的电气连接，集成电路此时即告完成。 将晶圆片发往模具组装前，必须对晶圆片上的每个集成电路进行测试。识别功能和非功能性芯 片，并在计算机数据文件中做出标记。然后用金刚石锯将晶圆片切割成独立的芯片。非功能性芯 片将被废弃，其余部分则可用于组装。这些独立芯片被称为晶粒。 对晶粒进行封装前，会将其安装于引线框上，并用薄金线将芯片上的焊盘与该框相连接，从而在 晶粒和引线指之间形成电路。 第三部分：晶粒制备与测试 在制造过程的第 II 部分，将构成集成电路并将成品晶圆切割成晶粒。下一步则是准备将晶粒用于 成品模块。 第 7 步：封装 封装时，引线框将被放置在模具板上并进行加热。将熔化的塑性材料围绕每个晶