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第30卷 第4期 红 外 技 术 、，01．30 NO 4
2008年4月 Infrared Technology Apr． 2008
材料与器件
金属一二氧化硅一半导体 (MoS)结构的电子辐照效应
张建新，刘俊星，李洪武
(嘉兴学院 机电工程学院，浙江 嘉兴 314001)
摘要：金属一二氧化硅．半导体(MOS)结构对于SiO2一Si界面非常敏感，能够方便地反映出氧化层电
荷、界面态密度等参数。为了研究MOS结构的电子辐照效应，采取了能量为0．8 MeV，辐照剂量范
围为2×10 ～1×10 cm-2的电子束作为辐照源。实验发现，MOS结构经电子辐照后，在SiO2一Si界
面处弓】入界面态，并且在二氧化硅内部积累正电荷。通过对MOS结构在电子辐照前后高、低频C—V
曲线的测试，测试出辐照在氧化层弓】入的界面态密度达到了10Hcm一2eV_。，而积累的正电荷面密度达
到了10 cm 。同时得到了界面态密度和积累电荷密度与辐照剂量的关系。
关键词：MOS结构；电子辐照；界面态密度；氧化层电荷
中图分类号：TN315 ．2 文献标识码：A 文章编号：1001—8891(2008)04—0234—04
Radiation Effect of MOS Structure Irradiated by Electron
ZHANG Jianxin，LIU Jun—xing，LI Hong—WU
(Mechanical and Electrical Engineering college，Jiaxing University，Jiaxing Zh~iang 314001，China)
Abstract：Metal—oxide—semiconductor(MOS)structure 1S highly sensitive to Si02一Si 1nterface．It will reflect
the parameters such as interface density and oxide layer charge exp’ediently．For the sake of researching of
radiation effect of MOS structure irradiated by electron，we adopted 0．8 MeV electron at dosage between 2×
10”cm ～ 1×10 cm_。as radiation source respectively
． We found that electron radiation wil1 induce
interface density at SiO2一Si interface，and accumulate positive charge into SiO2 film．According to
comparison with C—V curve of MOS structure at high frequency and low frequency，we obtain that the
experimental data of interface density is up to 1014 cm_。eV and oxide—layer-charge is up to 10 cm_。
． In
addition．we alSO obtain the relationship between the parameter and radiation dosage．
Key words：MOS struc
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