镓掺杂与锑掺杂单根氧化锌纳米线器件的阻变特性-基地物理-兰州大学.PDF

《基地物理》 2016 年第8 期 镓掺杂与锑掺杂单根氧化锌纳米线器件的阻变特性 1 2 汪博 ，任天爽 （1. 物理科学与技术学院13 级物理基地二班，甘肃 兰州 730000 ；2. 物理科学与技术学院 13 级物理基地一班，甘肃 兰州 730000 ） 摘 要： 阻变存储器（RRAM ）因具备替代接近微缩极限的传统存储器的潜力而成为了最有前途 的非易失性存储器技术之一。为充分利用RRAM 的潜力，开发既具有自整流特性也具有自 限流限流特性的阻变器件十分重要。自整流可以解决交叉阵列的串扰问题，而自限流可以省 去阵列中的电流限制器，从而简化后续工艺流程。在本文中，自整流阻变特性出现在Ga 掺 杂单根纳米线器件中。Sb 掺杂ZnO 单根纳米线器件中的兼具自整流特性与自限流特性。而 通过给予不同的SET 电压在Sb 掺杂ZnO 单根纳米线器件中还可实现多级阻变存储。此外， Sb 掺杂与Ga 掺杂使得阻变电压的浮动明显减小。 关 键 词：阻变存储器；自整流特性；自限流特性； 1 引 言 近年来传统的电荷俘获存储器已经接近了其的微缩极限，新型非易失性存储器的发展吸 [1] 引了研究人员的广泛关注 。有着简单电容器结构（金属/ 绝缘体/ 金属）的阻变存储器 （RRAM ）是新型的非易失性存储器技术中的一种。相对其它的新型非易失性存储器如相变 存储器（PRAM ）、磁性随机存储器 （MRAM ）、铁电存储器（FeRAM ），它有着更快的写 入速度，更低的操作电压，更高的耐受性，且通过交叉阵列与多级阻变存储可以使其特征尺 [2-6] [7 8] [9] [10] 寸小于10 nm 。 阻变效应在各种金属氧化物 ，有机分子 ，聚合物 ，石墨烯的氧化 ， [11] [12] 物 与纳米复合材料 中被观测到。ZnO 是一种有着大量的氧空位与宽直接能隙的 II–VI [13] [14] 族半导体 ，这些特性有利于形成导电细丝。 基于ZnO 器件的阻变效应也已被报道过。 [15-20] 为研究以ZnO 为基底的阻变存储器的拓展性，制备与表征低维器件是必不可少的。作 为低维结构的一种，半导体纳米线（SNWs）具有特殊的物理与化学性质，如丰富的表面状 [21，22] [23，24] [25,26] 态与大的表面积 、优秀的机械韧性 、谐振光吸收 、载流子限制导致的带隙可 调性等[27，28],这些特性有助于实现高性能的电子与光电器件与各种特殊用途。阻变现象同样 在SNWs 器件中被观察到。[16，29-32] 本文描述了在Ga 掺杂ZnO 单根纳米线器件中的电流自整流阻变现象，这意味着器件在 低阻态（LRS ）时具有整流特性。我们也陈述了在Sb 掺杂ZnO 单根纳米线器件中所出现的 自整流与自限流阻变特性。其中自限流的意思是系统可自行限制电流数值（电流数值存在上 限）无需额外的电流限制器保护器件。自整流与自限流的阻变特性兼具抑制交叉阵列串扰与 防止阻变器件被硬击穿损坏的的作用。 —————— 基金项目：兰州大学物理基地班创新基金和兰州大学创新创业行动计划资助项目。 通讯作者：汪博（1996－），男，山东省泰安市人，指导教师为祁菁教授。 联系方式：E-mail:bwang13@lzu.edu.cn ，Tel.: 论文说明：该研究成果由汪博同学以第一作者发表在SCI 一区期刊J. Mater. Chem. C 。 1 《基地物理》