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与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究
韶图∞
中文核心期刊
兼容的硅基波导型光电探测器的研究
与CMOS
曾凡平，韩培德，高利朋，冉启江，毛雪，赵春华，米艳红
(中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室，北京100083)
摘要：硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器，由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备
工艺简单等性能，因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景。文章着重阐述了通过离子注入
电探测器的研究现状和研究进展，并对四类器件的结构，制作工艺和光电性能指标进行了详细地介绍。
关键词：硅基光电探测器；深能级缺陷；Si／Ge自组装
中图分类号：TN929．1l文献标识码：A 文章编号：1002—5561(2009)05—0038-03
researchin silicon-based
photodetector
CMOS-compatible
ZENG Pei-de,GAOLi-peng,
Fan-ping,HAN
RAN Chun-lauaMI
qi-ji棚g,MAOXue,ZHAO Yan-hong
on of
(State-keylaboratoryIntegratedOptoelectronics，Institute
of 1
Semiconductors，Chinese 00083，China)
AcademySciences，Beijing
a of has market
Abstract：As
importanttypephotodetector，silicon—basedphotodetectorgreat applicationpo·
tentialdueto and fabrication fieldis
cmos—compatibleperformancesimple process．Tllisgreatlyemphasized
internationalresearchinstitutions．ThiSwillintroducethe ofsilicon
bymany paper developmentphotodector
ion self-assembled will
thatarefabricatedself AlCraInAs-Si，and
by implantation,．Ge／Siislands，I配E，hybrid
discussthedevice and
structure，fabricationprocessphoto-electronicperformance．
KeVWOrds：silicon-based defectSi／Geself-assembledisland
photodetetordeep．1evel
0引言
由于硅基光子学能够利用现已大规模应用的微电 是无法应
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