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Power Electronic 期末复习——by Doc. Sun Lin孙林是个大天才O(∩_∩)O~Tips：1、文中黑体部分为重点词汇。 2、文中带“*”部分为次要重点。第一章·绪论1、电力电子技术：所谓电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术，也是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，同时也是应用弱电控制强电的技术。2、通常把电力电子技术分为电力电子器件制造技术和变流技术两个分支。3*、电力：此处所谓电力泛指一般性的电力。4*、电力电子技术的诞生以GE公司于1957年研制出第一个晶闸管为标志。5*、电力变换：电力变换通常可分为四大类，即交流与直流的四种组合。其中，交流变直流称为整流，直流变交流称为逆变。第二章·电力电子器件一、电力电子器件的概念和特征：1、主电路：在电气设备或电力系统中，直接承担电能变换或控制任务的电路被称为主电路。2、电力电子器件特征：电力电子器件一般都工作在开关状态，通态阻抗很小，断态阻抗很大。在实际应用当中，电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。电力电子器件的损耗大致可分为三类，分别为通态损耗，断态损耗以及开关损耗。其中，通态损耗是其功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时，开关损耗可能成为其损耗的主要因素。二*、电力电子器件共有三种分类方式：半控型器件：晶闸管；全控型器件：IGBT、Power MOSFET；不可控器件：电力二极管；电流驱动型器件：晶闸管；电压驱动型器件：IGBT、Power MOSFET；单极型器件：肖特基二极管、Power MOSFET；双极型器件：电力二极管、晶闸管；复合型器件：IGBT三*、工作参数：功率：晶闸管IGBTPower MOSFET。开关速度为其反序。四、电力二极管：1、能够耐受高电压和大电流的原因：（1）电力二极管大都是垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，可以显著提高二极管的通流能力。（2）电力二极管在P区和N区之间多了一层漂移区而形成的P-i-N结构使其能够承受大电压。2、通过电导调制效应来解决漂移区的高阻率问题。3*、反向击穿按照机理不同有雪崩击穿和齐纳击穿两种方式。五、晶闸管：1、看电气图形符号标出引脚：阳极A、阴极K和门极G。P20-图2-7。2、导通条件：当其承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下才能开通。3、关断条件：利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到维持电流以下。4*、维持导通条件：在晶闸管导通后，使流过其的电流大于维持电流。5、其它特点：当晶闸管承受反压时，无论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通；晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通。六、Power MOSFET1、看电气图形符号标出引脚：G、SD。P31-图2-20-b。2、特点*：与信息电子电路中的MOSFET相比，采用垂直导电结构以及加入漂移区的方式提高其耐受高压以及大电流的能力。七、IGBT（绝缘栅双极晶体管）：看电气图形符号标出引脚，栅极G、集电极C和发射极E。P34-图2-23。八、IGCT（集成门极换流晶闸管）1、结构：一个平板型的GTO与由很多个Power MOSFET器件组成的GTO门极驱动电路。2、优点*：开关速度比普通GTO快10倍，简化GTO的缓冲电路。3、缺点*：所需驱动功率很大。九、基于宽禁带半导体的电力电子器件1、定义：宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料。2、典型材料*：SiC、GaN和金刚石。3、优点：高得多的耐高电压能力、低的多的通态电阻、更好地导热性能和热稳定性以及更强的耐受高温和射线辐射的能力。4、应用*：基于SiC的肖特基二极管。第三章·整流电路1、单相半波可控整流电路波形图。P44-图3-1。2、单相桥式全控整流电路计算（阻感负载）。P50-例3-1。3、三相桥式全控整流电路带电阻负载时，触发角分别为0、30、60、90度的波形图。P57~59图3-19~3-22。4、三相半波可控整流电路带电阻负载时，触发角分别为0、30、60度的波形图。P53~54图3-13~3-15。5、导通规律*：三个二极管对应的相电压中哪一个的值最大，则该相所对应的二级管导通。6、自然换相点*：相电压的交点7、变压器漏感对整流电路影响：（1）出现换向重叠角y，整流输出电压平均值Ud降低。（2）整流电路的工作状态增多，例如三相桥的工作状态由6种增至12种。（3）晶闸管的减小，有利于晶闸管的安全开通。有时认为串入进线电抗器以抑制晶闸管的。（4）换相时晶闸管电压出现缺口，产生正的，可能使晶闸管勿导通，为此必须加吸收电路。（5）换向使电网电压出现缺口，成为干扰源。8、无功功率对公用电网的危害：（1）无功功率会导致电流增大和视在功率增加，导致设备容量增加。（2）无功