半导体器件金铝键合的寿命研究 - 微电子学.pdf

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2017-09-02 发布于天津
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半导体器件金铝键合的寿命研究 - 微电子学

第卷第期微电子学 , 45 6 Vol.45 No.6 年月 2015 12 Microelectronics Dec.2015 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 半导体器件金铝键合的寿命研究 , , , , , 王路璐李洵高博王立新罗家俊韩郑生 ( , ) 中国科学院微电子研究所北京 100029 : , 摘要金铝键合失效是器件常见的失效模式之一主要是由于金属间化合物的生 MOSFET , , , 。 , 成影响了金铝键合的接触电性能从而导致键合强度下降接触电阻升高针对这种失效模式进 , , 行了三种不同高温条件下的加速寿命试验并对这三种试验的器件进行金铝键合现象观察对目前工艺水平下的金铝键合寿命进行了评估。 : ; ; ; 关键词金铝键合可靠性加速试验寿命预测中图分类号: ; 文献标识码: 文章编号: ( ) TN406TN305.93 A 1004-3365201506-0800-04 Stud ontheLifetimeofGold-AluminumBondin inSemiconductorDevices y g , , , , , WANGLulu LIXun GAOBo WANGLixin LUOJiaun HANZhenshen j g g ( , , , ) Instituteo Microelectronics ChineseAcadem o Sciences Beiin 100029 P.R.China f y f j g Abstract: The oldaluminumbondfailureisoneofthemostfailuremodesforMOSFETdevices.Thefailure g - ( ) modeismainlcausedb theAuAlintermetalliccom ounds IMC rowth.TheIMC rowthmakesthebondin y y