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用于物联网iot的802!.11bgn频段低噪声放大器!.pdf
Research l研究与设计
and。esign
1b
用于物联网loT的802_1n频段
g
低噪声放大器
马和良1，陈磊2
(1。聚辰半导体(上海)有限公司，上海200120；
2．上海电力学院，上海200090)
摘要：针对物联网loT的小面积低噪声的需求，相对传统共源共栅结构的低噪声放大器，提出了
一种新型低噪声放大器。核心电路没有采用传统的源级电感负反馈的共源共栅结构，通过去除片
0。18 mSiGe
上电感的方法，节省了77％的芯片面积。芯片采用旧M u BiCMOS工艺设计制造。
测试表明，电源电压在2．5V情况下，在2．4GHz处能够提供20dB的前向增益，噪声系数为1．8
dB，输入和输出匹配都小于一16 dB压缩点为一15
dB，1 dBm，消耗电流为3．6mA，而芯片面积
仅为0。45mmX0．5mm。
关键词：低噪声放大器；射频集成电路；SiGeBiCMOS工艺
中图分类号：TN431．1文献标识码：A文章编号：1674—2583(2017)05—0037—03
DOI：10．1 674-2583．2017．05．010
93394．issn．1
中文引用格式：-5jfD良，陈磊．用于物联网loT的802．1
1bgn频段低噪声放大器【J】．集成电路应用，
201
7，34(5)：37-39．
of802．11 BandLowNoise
Design Bgn
forIoT
MA Lej￡
Heliango。CHEN
Semiconductor2001
(1．Giantec Inc，Shanghai20，China．
ofElectric
2．ShanghaiUniversity Power，Shanghai200090，China．)
withtraditionalIow-noise newlOWnoise iS
Abstract：Compared amplifier．a amplifierpresented
iSusedin Of 802．11 band．
inthis IOWnoise IoT(Internet
paper．The amplifier things)ofbgn
thecascodestructureofthetraditionaIsource inductor
Inthis neither
paper．as degeneration
inthe tosave77％diearea．The
northe inductoriSused circuit．it
on—chipspiral helps chip
basedontheIBM0．18 mGeSiBiCMOS withthe
iS andfabricated u process
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